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[求助] n阱

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发表于 2011-2-24 11:37:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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why in traditional process, n well process is popular? what's the advantage compared to p well process?
发表于 2011-2-24 12:20:31 | 显示全部楼层
这个问题我也想知道
 楼主| 发表于 2011-2-24 13:58:48 | 显示全部楼层
I only know it's going to be compatible to NMOS process. Since before Nwell process, NMOS is popular, from cost purpose, NWell is good choice. Any consideration from technology view?
发表于 2011-3-10 11:21:36 | 显示全部楼层
wait for more explaination
发表于 2011-3-10 11:32:56 | 显示全部楼层
我认为电子迁移率大于空穴的迁移率,大概在2.5倍左右。所以nmos的速度将比pmos的速度更快,所以设计者更多选用nmos。。。为了这个衬底被换成p衬底来优化nmos。。。还有其他的请补充,学习学习。。。
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