功率管在片内的电源IC需要特别考虑些什么问题？

kefei_009 · 发表于 2010-11-27 15:08:32

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

面试的时候被问到这个问题，当时无语，汗颜！
请高手解答

colindeng · 发表于 2010-11-27 23:25:03

xiang zhi dao..

mekenny · 发表于 2010-11-28 18:47:22

芯片发热问题？

lihaiqi208 · 发表于 2010-11-28 19:39:37

串扰闩锁发热

wanglimoon · 发表于 2010-11-28 21:25:48

我也被问到这个问题.

btbtbt · 发表于 2010-11-29 10:25:09

是不是诸如闩锁效应，驱动电路的死区时间限制等等啊？
期待高手给个详细解答！谢谢！

btbtbt · 发表于 2010-11-29 13:22:41

我顶！

btbtbt · 发表于 2010-11-29 16:52:42

我再顶！

ampper · 发表于 2010-11-29 22:48:45

Dead time control; current density（metal and via）; bondwire 寄生电阻大小； power MOS仿真设计与实际值的偏差；current sense结构选取以及仿真设计与实际偏差。

kefei_009 · 发表于 2010-12-3 23:04:06

回复 9# ampper

谢谢解答

还被问到这样的问题，如下：

LDO，输入是2.7V~10，输出为3.3V，最大输出电流为1A
当输入为10V，输出电流为1A的时候，有6.7W的功耗消耗在功率管，如何处理这6.7W的功耗？

望高手解答，谢谢

[讨论] 功率管在片内的电源IC需要特别考虑些什么问题？