初学“基于gm/Id的设计流程”

常山龙不归 · 发表于 2012-8-21 13:12:52

学习学习

iWeiguo · 发表于 2012-8-21 23:47:08

呵呵，没有一了百了的方法，从另一个方向帮助理解电路不也挺好的。

waley · 发表于 2012-8-22 00:49:10

gm/id is a good method
push~~

wuzl423 · 发表于 2012-8-22 10:09:29

学习了，谦虚点比较好，能提出一种方法的肯定是知识比较系统的，所谓经验了，感觉了，只适合个人，不适合分享，有人分享东西，对我们这些菜鸟，还是值得尊敬的。

ql396387901 · 发表于 2012-9-26 23:51:47

正在学习中。。。

xulijialink · 发表于 2012-9-27 20:39:49

顶一个

ygchen2 · 发表于 2012-10-6 01:47:23

其实，GM/ID法主要能解决的问题是在弱反型状态的设计，利用统一的EKV模型涵盖MOS管各工作状态的特性，使得设计工程师可以优化设计不一定非要求管子在饱和区。好像不仅仅是现在设计方法的重新简单整理吧。
应该是比利时鲁汶大学那帮人先提出来的，如果没记错的话。。。

彼岸oO · 发表于 2012-10-24 11:09:41

好东西····

ccarrot · 发表于 2012-11-13 03:03:56

建议大家还是好好学一下 Gm/Id 设计方法，我在美国上学，上课时候老师都是教我们用Gm/Id方法，美国的工业界模拟设计一般都趋向于这种方法了，其实特别简单，有了 Gm/Id 图形后，你把设计电路的那些公式稍微改动一下产生 gm/Id 项，剩下就是查表、迭代了，很快能达到你的设计要求，比过去传统的“经验”“调试电路”方法好多了，如果有人需要，我可以把我们系讲的一些资料传上来。

wuchuanqi · 发表于 2012-11-13 12:16:05

回复 49# ccarrot
目前正想学习这个，如果能传来资料看看，不胜感激啊。

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