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[求助] 谁用过native mos做 LDO的power device

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发表于 2010-5-20 23:00:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

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现在LDO的pwoer device要用n管,但电源电压又不高,只能用native mos了.
谁有类似的电路?
发表于 2010-5-21 11:47:01 | 显示全部楼层
能关得断吗?
发表于 2010-5-21 15:36:00 | 显示全部楼层
期待ing
发表于 2010-6-2 19:01:40 | 显示全部楼层
有什麼好處呢
发表于 2010-6-2 21:43:18 | 显示全部楼层
阈值电压低
发表于 2011-3-30 23:22:05 | 显示全部楼层
以下的内容百度到的。。。
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在标准逻辑工艺中,有时候我们会见到Native MOS管,什么叫做Native MOS管呢?

正巧目前的一颗IC正好用到这个东西,于是询问,才知道Native MOS实际就是阈值电压接近为零的管子,实际上就是耗尽管。但是为什么叫做Native MOS呢?原来是最早的MOS制程中由于氧化层带有电荷,很难做很干净的氧化层,所以做出来的NMOS,氧化层本身带有正电荷,导致未加正电压就导通了。当今这种阈值电压接近0的NMOS可不是通过氧化层中带电来完成的,而是通过调整沟道参杂来完成的。但是结果一样,于是还是叫Native MOS管。

这种Native MOS管一般只会用来做电容,用它做电容的好处在于,以NMOS为例,gate电压只要大于阈值电压,那么电容都等于Gate电容。而标准NMOS,当gate电压小于阈值电压的时候,NMOS电容等于gate电容和沟道耗尽层电容的串联,是电容值变小很多。所以在130nm制程之后,我们会经常看到Native NMOS/PMOS作为电容使用。
发表于 2011-3-31 09:06:16 | 显示全部楼层
发表于 2011-3-31 21:42:02 | 显示全部楼层
不行哦  关不断哦
噪声巨大
发表于 2011-4-1 09:19:45 | 显示全部楼层


不行哦  关不断哦
噪声巨大
zhongbo1127 发表于 2011-3-31 21:42




    能说一下为什么这东西噪声巨大吗?从器件原理上。
好像model里都没有它的噪声model。
发表于 2011-4-1 09:31:18 | 显示全部楼层
没用过,学习下~~~

这考虑corner和temp,vth变为负的怎么办啊??
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