VCO里面的AM-FM转换问题

xwlpxc · 发表于 2010-4-23 18:56:09

我个人也不认为AM-PM会是整体VCO相躁的重点
看您觉得您要优化的点是100k还是1M

若以1M而言
降低偏压flicker和thermal为第一个设计要点，对wideband vco特别重要
若以仿真而言，我左右两图都仿过
左是2.2~3.3G ...
tulipbear97 发表于 2010-4-23 15:43

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你说得对，AM-FM不是VCO相噪的重点，重点来自TANK谐振腔内部的电感和差分对。
但是我这里的意思不是说谁是重点的问题，
而是专门来讨论AM-FM这个次重点
我个人也不认为AM-PM会是整体VCO相躁的重点

你说的supply & bias noise 才是您的最大敌手，
实际上SUPPLY noise ,bias flicker noise不就是通过AM-FM才
到phase nosie的吗？这不又回到我的问题上来

tulipbear97 · 发表于 2010-4-24 11:08:58

我个人觉得是有点不同的，当所有的VAR全换做MIM而无影响，那
应说AM-FM无作用，这在很多设计都达的到。

这时仍有bias & supply noise 通常为最大

xwlpxc · 发表于 2010-4-28 08:36:30

我个人觉得是有点不同的，当所有的VAR全换做MIM而无影响，那
应说AM-FM无作用，这在很多设计都达的到。

这时仍有bias & supply noise 通常为最大
tulipbear97 发表于 2010-4-24 11:08

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当所有的VAR换做MIM的时候，不能说AM-FM没有作用吧
因为除了VAR这个最主要的AM-FM元件外，还有其他的寄生电容可以
AM-FM 比如差分对

这时候应该仍然是TANK里面的噪声影响最大。
bias supply noise依然会影响相位噪声

adelezy · 发表于 2010-5-6 17:37:17

老说AM-FMnoise，那从仿真结果怎么来看这部分的影响呢？
看noise summary里面有没出现var？

swjtuli · 发表于 2011-4-25 01:09:13

我赞成bias noise和supply是设计的最大敌手，这两个是最不好弄的。
而电感的处理也是关键中的关键

zhengwei_jimmy · 发表于 2011-4-25 14:31:56

个人认为，在实现等同的KVCO条件下，左右两种var接法对应的AM-FM大体相同。偏置的DC电压，也仅仅是DC。即便MIM与RES实现高通滤波，但对应VAR数值要增大以保证等同KVCO。另外AM-FM 一部分是由于VAR引入，另一部分是CMOS-gm电容非线性(实际也是var)引入。如果右图中VAR部分负极板接vdd/2。要实现一个低噪声的vdd/2也是十分困难的。如果采用pmos var，倒是可以实现两种am-fm机制的部分抵消。但牺牲的tuning range。

hanks2007 · 发表于 2018-10-4 16:40:56

Very good ! Thank you !

yangliqi · 发表于 2025-2-25 17:58:05

请问如何进行AM-FM仿真 ? 最近发现负载BUF的输出幅度变化会改变VCO自由震荡的频率，所以想知道如何改善这个特性

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