MOS衬底B极的接法讨论

jiangnancai · 发表于 2009-9-20 08:16:19

原帖由 xwlpxc 于 2009-9-18 08:46 发表

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谢谢请问大家问题1 现在一般的工艺是单阱（N阱）CMOS工艺吗？比如tsmc 0.18um? 问题2 M4 M10的SB都短接的话，注意显然M4的S和M10的S电压不一样，而B都是接N-WELL，请问这时候N-WELL的电位是不是矛盾了？ ...

哎！pmos。nmps的混作一谈，不知道你在说啥。
pmos单独的nwell，当然可以接。和nmos没有关系。nmos可以再deepnwell的情况下sd相接。tsmc18不是提供deepnwell吗？

xwlpxc · 发表于 2009-9-20 10:30:16

原帖由 jiangnancai 于 2009-9-20 08:16 发表

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哎！pmos。nmps的混作一谈，不知道你在说啥。pmos单独的nwell，当然可以接。和nmos没有关系。nmos可以再deepnwell的情况下sd相接。tsmc18不是提供deepnwell吗？

大家的意思是在电路设计里面不管是NMOS还是PMOS他们自身的S B极都可以各自接在一起。那这样就不存在背栅效应了？这样不行吧

但是以前学教材的时候，书上说：
MOS集成电路都做在同一衬底上，由于公共衬底，不能把所有的MOS的S都和B接在一起，否则他们的源将通过衬底相互短接了！！！
所以 NMOS的衬底全部接最低电位GND，所有PMOS衬底全部接最高电位VDD！！！（这样Vbs是不一定等于0了，有一定的背栅效应，有时候还较大）

xwlpxc · 发表于 2009-9-20 10:32:36

我想问的是：
设计中是不是应该这样-----------------------------------
所有NMOS的衬底全部接最低电位GND，
所有PMOS衬底全部接最高电位VDD ！！！

xwlpxc · 发表于 2009-9-20 16:33:34

help me thanks a lot

black_lotus · 发表于 2009-9-20 19:44:38

楼上的楼上和楼上的楼上的楼上说的很有道理。

xwlpxc · 发表于 2009-9-21 09:00:31

41
help

xwlpxc · 发表于 2009-9-21 16:06:37

help

freaky1985 · 发表于 2009-9-22 00:37:06

不知道楼主在说什么，我只知道一种高压NMOS管，衬底做在BP里，电位是可以随意接。普通NMOS管衬底就是PSUB，跟GND远近没啥关系吧

xwlpxc · 发表于 2009-10-12 10:29:07

怎么大家不理解我说的啊？
我想问的就是TSMC0.18UM工艺下在电路仿真和layout的时候B极的接法问题？
NMOS的B极一定要接GND（VSS）还可以接它本身的S极（特别是在串接的cascode中）？
另外一般我们在1.8V TSMC 0.18UM下面选用nmos2v这种管子来仿真。如果nmos的B级可以接S极，是不是一般要选择nmos2vdnw这种管子来仿真和layout。

semico_ljj · 发表于 2009-10-12 10:41:01

要tri-well工艺才行

MOS衬底B极的接法讨论

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