MOS衬底B极的接法讨论

cdyaya · 发表于 2009-10-13 21:25:33

可以的。我们公司CAD做的symbol就有三种，一种是SUB直接和Source短接，一种是直接接地的，还有就是要自隔离的

xwlpxc · 发表于 2009-10-14 12:25:33

问题1 现在一般的工艺是单阱（N阱）CMOS工艺吗？比如tsmc 0.18um?

是的。

问题2 M4 M10的SB都短接的话，注意显然M4的S和M10的S电压不一样，而B都是接N-WELL，请问这时候N-WELL的电位是不是矛盾了？

在实 ...
hejin1795 发表于 2009-10-13 17:12

登录/注册后可看大图

嗯讲得非常好受教了谢谢

ljrdcb · 发表于 2011-1-17 12:49:31

顶顶顶

司徒温孤 · 发表于 2011-1-20 15:49:57

飘过啊！

司徒温孤 · 发表于 2011-1-20 16:04:06

顶大牛!

398425704 · 发表于 2011-1-20 19:09:57

用深N阱工艺就可以啊，请教一个稍微有点经验的画版图的，他肯定画过。具体怎么画就不说了，稍微麻烦点，我也是分析别人画过的自学的。。。

conghung2012 · 发表于 2012-7-18 09:30:06

衬底接法比较纠结，希望有经验的大虾指点啊

MOS衬底B极的接法讨论

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