MOS衬底B极的接法讨论

semico_ljj

呵呵，很多人都不理解啊！

xwlpxc

要tri-well工艺才行
semico_ljj 发表于 2009-10-12 10:41

                               
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TSMC 0.18UMRF工艺应该是N阱CMOS工艺，具有深N-WELL。
这种工艺B极是可以单独控制和接出的。
只是我不明白应该选择其中的上述的nmos2n 还是nmos2v_dnw？ 还是？
另外B极的接法在设计和仿真以及layout的时候应该怎么考虑？

ronialeonheart

pmos的B极是可以接S的，任何CMOS工艺都可以，因为可以做在单独的N阱里，不是一定要接VDD的，只要是高于GND的电压，保证P-N不正向导通就行。
但nmos就不一定了，要看是不是双阱工艺，即有没有deep nwell，有，就可以接S；没有就不行。看你的管子取名来看，应该是mmos2n不可以，nmos2v_dnw可以。用后者就增加掩膜板，增加成本咯。如果设计上不是很要求B接到S，一般就不用。
lz还是多了解点工艺吧。做设计不懂工艺是不行的

xwlpxc

pmos的B极是可以接S的，任何CMOS工艺都可以，因为可以做在单独的N阱里，不是一定要接VDD的，只要是高于GND的电压，保证P-N不正向导通就行。
但nmos就不一定了，要看是不是双阱工艺，即有没有deep nwell，有，就可以 ...
ronialeonheart 发表于 2009-10-12 16:49

                               
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非常感谢
这么多回帖里面，你说得最全面最清晰。
我基本明白是怎么回事了。
thanks a lot

jiangnancai

首先你要看你的工艺是否支持deepnwell，如果是，那么nmos的sb可以短接。
如果不是，那么B只能接地。这个看工艺的，不是你想挖个nwell就能挖的。

tsmc018工艺应该是支持deepnwell的。可以再确认一下。

7# xwlpxc

xwlpxc

首先你要看你的工艺是否支持deepnwell，如果是，那么nmos的sb可以短接。
如果不是，那么B只能接地。这个看工艺的，不是你想挖个nwell就能挖的。

tsmc018工艺应该是支持deepnwell的。可以再确认一下。

7# xwl ...
jiangnancai 发表于 2009-10-13 07:08

                               
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嗯 谢谢
应该可以的
只是不能选用普通的如nmos2v nmos3v必须是nmos2v_dnw nmos3vdnw 我想
还有layout的画法上不知道有什么根本的不同？

ronialeonheart

普通的nmos是直接做在Psub上的 而deep nwell的是先做deep nwell 再包一圈nwell形成一个类似方盒子的区域 使盒子内外的P分离开 在盒内做nmos 那么盒内的P就可以接S了

xwlpxc

thanks a lot

hejin1795

问题1  现在一般的工艺是单阱（N阱）CMOS工艺吗？比如tsmc 0.18um?

是的。

问题2  M4 M10的SB都短接的话，注意显然M4的S和M10的S电压不一样，而B都是接N-WELL，请问 这时候N-WELL的电位是不是矛盾了？

在实际设计中，一般M10 和M9 在一个n-well里，M4 和M3 在一个n-well里。对于M10和M9，“B=N-WELL=VDD”没有异议。而对于M4 和M3，B有两种接法：1，B-S; 2, B-VDD.
1，B-S: 此时Vth 没有增加，因为VSB=VS-VB=0. 但此时S对地的寄生电容变成了全部的N-well和P-substrate之间的反偏结电容，电容变大。
2, B-VDD：此时Vth增加，因为绝对值VSB变大。此时S对地的寄生电容为S和N-well之间的反篇结电容。电容比B-S 接法小。

总而言之，选择那种接法好取决于实际应用中的Vth 和 C。

hdkj314

细节是学问啦