MOS衬底B极的接法讨论

xwlpxc · 发表于 2009-9-17 19:43:23

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MOS衬底B极的接法讨论请教一个问题MOS管的 D G B S。如果在电路设计中没有靠近GND的NMOS如果B不接GND，而是接S，是不是必须是三阱工艺？在双井工艺里面不能接S，必须接GND？比如图中的M6衬底B如果和源极S相连，则必须是三阱工艺才可以。但是我们一般的工艺如TSMC0.18的工艺都是单阱工艺！

[ 本帖最后由 xwlpxc 于 2009-9-20 10:16 编辑 ]

魔术转换 · 发表于 2009-9-17 21:24:51

可以的，没问题的，画版图时用隔离环隔离就行了，

wangot · 发表于 2009-9-17 21:52:04

再挖个n-well不就好了

yangruhui · 发表于 2009-9-17 22:12:47

nwell工艺，pmos是可以S，B短接的吧

hubertyue · 发表于 2009-9-17 22:45:28

都是psub的，pmos都是在nwell中，所以是可以直接接s的

tlyfly · 发表于 2009-9-17 22:56:45

M4的衬底与上端的引脚相连接（高电位的）吧

xwlpxc · 发表于 2009-9-18 08:46:56

原帖由 魔术转换 于 2009-9-17 21:24 发表

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可以的，没问题的，画版图时用隔离环隔离就行了，

谢谢 请问大家
问题1  现在一般的工艺是单阱（N阱）CMOS工艺吗？比如tsmc 0.18um?
问题2  M4 M10的SB都短接的话，注意显然M4的S和M10的S电压不一样，而B都是接N-WELL，请问这时候N-WELL的电位是不是矛盾了？
      因为M10使得B=N-WELL=VDD  而M6使得B=N-WELL=M4 S

[ 本帖最后由 xwlpxc 于 2009-9-18 08:48 编辑 ]

liusupeng · 发表于 2009-9-18 08:56:39

u r right

weizhao101 · 发表于 2009-9-18 10:14:24

nwell你可以挖多个的啊，又不是只能一个

llxiaoshu · 发表于 2009-9-18 11:03:24

能否问一个问题，就是关于MOS的EMI辐射问题，我们现在在200MHz附近MOS辐射非常高，请问除了加snuber还有什么好的解法吗

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