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关于上电复位电路,失效。

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发表于 2009-9-15 16:29:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

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设计里面有包含上电复位电路和一些可以通过接口读出数据的寄存器,寄存器的初始值会有所不一样。
但是做出来的样片里面测试发现,寄存器的初始值第一次上电是ok的,然后掉电,马上再次上电就变的乱七八糟了。如果掉电过了10几秒后再次上电,他的初始值就又是好的了。

到底是什么原因阿?我对POR电路输出的脉宽越有1us多,就是普通的RC产生延迟,然后用反相器整形输出一个高电平脉冲。
发表于 2009-9-15 17:25:44 | 显示全部楼层
有没有可能是驱动能力不够
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发表于 2009-9-15 17:41:48 | 显示全部楼层
复位电路有问题
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 楼主| 发表于 2009-9-18 14:54:29 | 显示全部楼层
我的复位电路如下:

                               
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上面的模块是内部电源和电池切换模块,下面是POR电路。
当掉电的时候,最左边的PMOS管应该有一个寄生二极管,可以对电容放电到vdd。不过只是这样分析,但没有测试出来过。

还有芯片内部的vdd有一个电路,通过5M的电阻接到40pF的电容,会不会这个有影响呢?
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 楼主| 发表于 2009-9-18 14:56:35 | 显示全部楼层
咋看不到图片类
1.jpg
不要信元的。。。

还有,如果电源模块中,产生的vdd有glitch或者bounce,会不会也有影响。
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发表于 2009-9-18 15:26:24 | 显示全部楼层
通过5M的电阻接到40pF的电容..........................
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 楼主| 发表于 2009-9-19 12:59:53 | 显示全部楼层
低功耗的应用啊。。。只能这样咯
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发表于 2009-9-22 06:59:34 | 显示全部楼层
你的电容好像没有reset. vdd掉电以后,cap被discharge到0.7V之后就完全靠漏电来reset到0了,这个过程可能很长。如果vdd这个时候又起来了,而且rise time也是us左右的话,你的POR状态就不对了。还有你input stage的2个NFET好像没什么用吧?
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 楼主| 发表于 2009-9-22 17:17:42 | 显示全部楼层
恩,ls说的很对。我目前也在关注这个问题,上面也有人好像也提到了discharge的问题。

我搜了几篇专利,好像对此还蛮有帮助的,正在研究。

谢谢大家的意见,真的很有启发。

Power_up_detection_circuit.pdf.tar.gz

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 楼主| 发表于 2009-9-22 17:19:12 | 显示全部楼层
恩,ls说的很对。我目前也在关注这个问题,上面也有人好像也提到了discharge的问题。我搜了几篇专利,好像对此还蛮有帮助的,正在研究。谢谢大家的意见,真的很有启发。

Power_up_detection_circuit.pdf.tar.gz (52.53 KB , 下载次数: 165 )
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