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楼主: icsb

求助,关于LDO的两个极点位置

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发表于 2022-7-14 22:28:27 | 显示全部楼层


Analog_2020 发表于 2022-7-14 10:23
请教一下,片外电容的LDO主极点在输出,内部极点也比较低的情况在功率管做米勒补偿只会恶化相位,那么有 ...


请教一下,片外电容的LDO主极点在输出,内部极点也比较低的情况在功率管做米勒补偿只会恶化相位,那么有什么好的补偿方法吗?Reply:片外大电容的情况确实不能用米勒补偿,只会适得其反;内部集成LDO并给芯片内部电路供电时通常用米勒补偿,可以节省外围器件及成本。
1.在输出端串电阻做做补偿,但是这种方法感觉不好,一个是不好补偿到低频(万一把主极点补了怎么办),一个是不知道瞬态效果好不好;
Reply:一般是利用片外大电容的ESR电阻产生左零点来补偿稳定性,但是瞬态确实会受ESR影响,所以通常会再并联一个ESR很小的小电容来滤波。片外大电容如果够大的话稳定性和瞬态还是会好很多。
2.减小内部EA的增益,加电流;增大带宽;
Reply:减小EA增益势必会增加稳态误差,trimming设计的话需要考虑增大可trimming范围;加电流的话通常可以将内部次极点往高频移动,但带宽可能也会增加,仍需要依据具体电路来调节。
3.插buffer;
Reply:插buffer是比较好的方法可能也是通常的设计方法,将先前的低频次极点(EA输出端大的输出电阻ro1和功率管栅极大的电容C2形成的极点1/ro1*C2)变成两个高频次极点(buffer输入端小的寄生电容C1和小的输出阻抗ro2,分别与大的ro1和C2形成两个高频的极点1/ro1*C1、1/ro2*C2),只要这两个极点都高于单位增益带宽一定比例,稳定性就能保证,同时buffer的驱动能力也能提供瞬态响应性能。
先答这么多,暂时就事论事,没更多的思路和考虑了。





发表于 2022-8-22 17:33:32 | 显示全部楼层
谢谢!
发表于 2023-1-9 19:31:58 | 显示全部楼层
收藏
发表于 2023-3-14 19:24:22 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2023-9-5 18:52:09 | 显示全部楼层


sea11038 发表于 2009-11-28 01:31
有片外电容补偿的LDO,主极点P1肯定在输出端,因为片外电容值很大(uF量级),P1=1/(Rout*Cout),即Cout很 ...


讲的很好!学习了
发表于 2024-4-8 16:26:40 | 显示全部楼层


some44 发表于 2022-3-24 15:22
我也遇到这个问题了,而且我还用源随把次极点拉开了,结果两个极点差的太远,裕度不足了,我又用miller补偿 ...


我有个问题,如何知道极点在哪个位置?
发表于 2024-4-27 22:34:38 | 显示全部楼层


catfish_ 发表于 2024-4-8 16:26
我有个问题,如何知道极点在哪个位置?


这个标准的是通过计算算出来的,但是我计算不太好,所以用的是比较讨巧的方式,极点意味着高阻和高容,所以就是找电路中高阻和高容的点,一般就是输出(因为有大负载)、运放输出或者其他的高阻或者高容节点,之后就是大概算下哪个最大,哪个就是主极点。
发表于 2024-8-6 11:28:55 | 显示全部楼层


sea11038 发表于 2022-7-14 22:28
请教一下,片外电容的LDO主极点在输出,内部极点也比较低的情况在功率管做米勒补偿只会恶化相位,那么有什 ...


支持前辈!看前辈从09年活跃到现在,好强!
发表于 2024-8-6 22:27:45 | 显示全部楼层


SMaxwell 发表于 2024-8-6 11:28
支持前辈!看前辈从09年活跃到现在,好强!


混迹于eetop,不能自拔
发表于 2024-8-30 20:37:26 | 显示全部楼层


sea11038 发表于 2024-8-6 22:27
混迹于eetop,不能自拔


太厉害了,一直活跃在一线好优秀
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