请问一般nmos多大电流可以认为进入亚阈值区

raultjf · 发表于 2008-11-25 20:15:40

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调运放时遇到的问题，
想增大第一极点的位置，这时候Vgs略小于Vth，用亚阈方程算好呢还是用饱和区的跨导方程算好呢？没做过这么低电流的，在实际中应该注意什么问题呢？比如电流不能小于什么值？或者流片出来的结果偏差很大？

后来又发现这样的问题，我们用的是chrt35工艺，nmos管3uA时Vgs才刚刚等于Vth，pmos管1uA时Vgs就可以大于Vth，有没有人注意到，那位高手给解释一下？

frankiebai · 发表于 2008-11-25 21:41:36

与管子的尺寸有关吧
我记得razavi书上说过1uA/um（I/w）时候vgs约等于vth

zzchuih · 发表于 2008-11-26 10:03:18

那个区叫subthreshold，就理论上来看，它的管gm将会变的很大，那个区的的行为很像bjt，
实际厂(fund)做modeling并不会仔细的model此区，所以将会有极大的误差...

xiaxiaomingc1 · 发表于 2008-11-26 13:34:16

0.1uA per W/L

raultjf · 发表于 2008-11-26 15:53:02

原帖由 xiaxiaomingc1 于 2008-11-26 13:34 发表

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0.1uA per W/L

我设计的电流就是500n，也就是想不让它进入亚阈值区都不行了...

semico_ljj · 发表于 2008-11-27 12:12:16

100n比较大了，不一定的！

raultjf · 发表于 2008-11-27 12:37:25

原帖由 semico_ljj 于 2008-11-27 12:12 发表

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100n比较大了，不一定的！

这么小的电流，怎样对工艺进行控制才能制造出来呢

thewolftotem · 发表于 2008-11-28 10:59:03

参考subthreshold的mos理论。
该区存也存在饱和区，当vgs<Vth, vds>3Vt时也是饱和区。

同样的尺寸nmos的电流能力比pmos强，因为电子迁移率>空穴迁移率

wangot · 发表于 2008-11-28 13:48:19

受教了，多谢

sisc1525 · 发表于 2008-11-28 15:30:54

一般在纳安级的才好.

请问一般nmos多大电流可以认为进入亚阈值区

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