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[求助] 请问CMOS工艺的门速度和VDD电压的关系

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发表于 2011-9-21 17:16:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问CMOS工艺的门速度和VDD电压的关系,
一般适当提高VDD电压,可以提高CMOS的门速度,
但有没有人知道为什么?
我感觉这样子的话,门电平的反转时间(转换时间)变长了,
比如1.2V的提高到1.4V,那就是到1.4V才能稳定。

又和结论矛盾。。。
发表于 2011-9-27 14:33:39 | 显示全部楼层
I_V curve can explain it!
发表于 2012-7-23 23:57:54 | 显示全部楼层
回复 1# rubinsma
定性的看的话...I-Vgs体现出电流和电压的关系是平方关系...而门速度的快慢取决于电流对负载电容的充放电,充放电过程可以看成是指数关系的...所以电压增高有利于提高速度...
发表于 2012-7-30 15:07:38 | 显示全部楼层
恩。主要跟V-I曲线有关。。
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