请问一般nmos多大电流可以认为进入亚阈值区

zhxwjl · 发表于 2008-12-1 16:03:24

好，学习中

raultjf · 发表于 2008-12-1 18:04:22

原帖由 thewolftotem 于 2008-11-28 10:59 发表

 登录/注册后可看大图

参考subthreshold的mos理论。
该区存也存在饱和区，当vgs3Vt时也是饱和区。

同样的尺寸nmos的电流能力比pmos强，因为电子迁移率>空穴迁移率

您说的是vds〉3vt后就饱和了是吧
但是这时候就没有沟道调制效应了么

juliansky · 发表于 2008-12-3 23:43:13

1uA/um 应该就要小心了吧

hitblda · 发表于 2008-12-12 11:53:32

thinking》》》》》》

fuxinmingming · 发表于 2010-8-21 07:23:39

thanks

eejkl · 发表于 2010-8-21 17:20:07

study

sujh010 · 发表于 2011-3-11 11:55:44

关注，关注！

semico_ljj · 发表于 2011-10-13 11:15:56

0.1ua per w/l差不多

751506940 · 发表于 2011-10-27 00:30:39

mark
学习

hilucp · 发表于 2012-1-8 16:15:55

一般是按VGS小于多少考虑，还是Id多少考虑！

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