ESD 高压保护问题请教

andyjackcao · 发表于 2008-10-6 22:06:39

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条件: diode_A diode_B HVPMOS
BV/Vt1 33v 31v 33v
当PAD对VSSD放正电时,
PHV上得到达33V时,HVPMOS才会起作用,
但这时,已经达到diode_B的击穿电压,
那么diode_B会被击穿吗?从而让HVPMOS管不能正常保护?

谢谢谢谢

[ 本帖最后由 andyjackcao 于 2008-10-7 19:10 编辑 ]

beer · 发表于 2008-10-6 22:16:34

基本会击穿

guonanxiang · 发表于 2008-10-7 15:20:39

LZ是专业做ESD的？

zhanweisu27 · 发表于 2008-10-7 18:06:02

仿电环路设计好像不对

至少我不会这么做

power pad和普通pad esd做法不一样

[ 本帖最后由 zhanweisu27 于 2008-10-7 18:22 编辑 ]

andyjackcao · 发表于 2008-10-7 18:57:23

原帖由 zhanweisu27 于 2008/10/7 18:06 发表

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仿电环路设计好像不对

至少我不会这么做

power pad和普通pad esd做法不一样

你好,这里不PHV NHV到VSSD是高压BUS线到地的地方放置的ESD保护结构,

由于高压NMOS管很容易被击穿,所以我才采用了高压PMOS管来做,而且这里的面积为90*200

之所以采用BV模式,而不是NBV模式做保护,是因为PHV NHV两个内部高压电源在跳动

其特性可近似为PHV=PULSE(0 15N 15N 2.8V 14.5V) NHV=PULSE(0 15N 15N 0V -12V)

还希望大侠能多多指教

其中diode_B有两种pdio18(BV=33v) ndio18(BV=31v)但由于是做CSTN,所以SUB接的是VSSD,所以

只能选择ndio18,所以才出现这样的局面

[ 本帖最后由 andyjackcao 于 2008-10-7 21:08 编辑 ]