bandgap的设计疑问。总是没法做成S型曲线

cmfjxga · 发表于 2012-3-3 18:06:10

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采用的结构式来自论文：JSSC——Curvature-compensated BiCMOS bandgap with 1-V supply voltage
（Piero Malcovati, Franco Maloberti, Fellow, IEEE, Carlo Fiocchi, and Marcello Pruzzi）。
已经调试过N次，发现无论怎么调，都调不出凹型或者S型的曲线。曲线的结构总是类似于论文（徐勇，王志功——一种高精度带隙电压基准源改进设计）——凸型的曲线。
虽然高阶补偿也做了，可是就是出不来。
采用的是CSMC 0.5um的工艺。所有的电阻都有温度系数（貌似有些工艺没有）。但是采用了理想电阻还是凸的曲线。在温度-10~110之间，温度变化为8mv左右。
想问问，是否bandgap的曲线是否也和工艺中的MOS有关。还是在做高阶补偿的时候，一阶曲线需要调整为什么样子。

输出电压曲线--一阶补偿

hanks2007 · 发表于 2018-10-6 14:33:25

Very good ! Thank you !

i0977454522 · 发表于 2014-12-5 11:05:25

我主要针对的是工艺偏差，而失调是芯片内部不对称不匹配引起
我指的工艺偏差是指大批量产时，芯片于芯片间的离散程度
主要是因为
（1）同一个wafer上不同位置的die
（2）同一批次中不同wafer上die
（3）不同批次中的die
工艺稳定会影响bandgap的初始精度
这方面主要关系到器件参数
（1）电阻绝对值的精度约+/- 20%
（2）pn结电压等
这些其实受工艺决定，比如doping density ,the depth of difussion,
doping profile 等