芯片级ESD防护设计答疑

jiangbing1975

回复 39# 彤妍物语


只有当IO to IO打ESD的时候，是：电源和GND浮空，对要打ESD的pin施加ESD脉冲，同时剩余的IO pin接在一起接到0V。

dwflove

大神，请教一下，针对0.18um 60V工艺60V的PIN是否有能够节省面积的ESD做法，工艺厂提供的ESD结构一般是好多个低压NMOS串联起来，但是这样很浪费面积，对于小成本的芯片很不划算

13798974948

请教大神，刚学习Power clamp，看到一个结构是RC+1INV+NMOS的，然后我看了他的NMOS版图画法，是画了SAB层且漏加宽的画法，我想问的是这样的版图画法还是利用NMOS的沟道导通电流吗，如果是，那这样的画法和正常NMOS画法（无SAB层和漏不加宽）在电流泄放时有什么区别？我现在的理解是，如果用了SAB层且漏加宽，是利用NMOS的寄生BJT泄放电流的，不知道我的理解是否有误？请大神指正

jiangbing1975

回复 42# dwflove
高压芯片的ESD没有做过，无法给你提供有效的建议。

jiangbing1975

回复 43# 13798974948
你的理解是是对的。这种结构的ESD泄放通路不需要满足ESD rule，但是泄放的NMOS的total width必须做很大，仿真要正常通过安培级的电流。

a104842708

大神，芯片没加pad时候做drc没有latch up问题，一加了pad就出了latch up的问题，是什么导致的吗？即使只有NMOS管子，加了guardring和ESD后，还是有latch up的问题，知道怎么解决吗？谢谢了

wxf97841

回复 46# a104842708


   你的说法好奇怪啊，加了Bounding PAD不就是加了高层的金属做的一块金属块吗，应该没有其他的电路要加？   这样也会导致rule check会报错？特别是latch up的错？

wxf97841

回复 1# jiangbing1975


   请教大神，现在28nm很多工艺的厚氧管都只有18的管子，没有25的管子或者33的管子了，这种情况下ESD的设计方向应该怎么改进？比如GG NMOS，原先只要一个或者两个cascode做就够了，现在要三个或者更多，而且每个管子还要加各种Vd,Vg的HV tolerant的保护
电路，这些会不会都影响固有的ESD性能。

a104842708

回复 47# wxf97841

我的理解是电路通过pad连到封装外，就可能受外界突发高电压影响，导致latch up问题。不是特别清楚这个

jiangbing1975

回复 42# dwflove


高压工艺没接触过。不好意思。