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楼主: damonzhao

[讨论] 后端基本概念讨论专用贴

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发表于 2016-11-4 16:07:16 | 显示全部楼层
在做STA分析时RC corner为什么不像OCV那样launch path和capture path向不同方向偏移,比如setup分析时launch path是worst case分析,capture path用best case分析?
发表于 2016-11-11 14:41:45 | 显示全部楼层
Q: What's the difference between timing-driven and congestion-driven placement?what are they(timing-driven & congestion-driven )?
发表于 2016-11-11 17:27:15 | 显示全部楼层
回复 443# huyz0202


   你的意思是否这样:setup分析时,launch path用cworst corner, capture path用cbest corner?   其实这样是没有意义的,因为RC corner的本质是不同的die,由于process parameter variation导致RC存在差异,同一颗die,是不会存在这些差异的,所以,同一条路径,用同一个corner来分析就好啦。
发表于 2016-11-14 10:38:22 | 显示全部楼层
回复 445# empitiness
我看到一本书上说RC corner的影响不是对不同die,而是对不同层的metal。
发表于 2016-11-14 17:00:15 | 显示全部楼层
回复 446# huyz0202


   我觉得你这个说法不对,不同die之间(更准确的说应该是不同的wafer之间)的rc是随机偏差,而不同metal之间是系统偏差,两者都会有,严格来说我之前的解释说同一颗die RC corner是一样的是不对的。但是,现在系统偏差可以控制得很好,而随机偏差,则是无法预测及控制的,通常我们会用正态分布来模拟其分布,这才是我们RC corner的意义所在。   当然,系统偏差不能说就不存在,比如你提到的PT为什么没有针对不同RC corner来分析,我现在理解你的意思:比如一个setup check,launch path用的是metal5,处于cworst corner, capture path用的是metal4,处于cbest corner,这种情况确实是可能存在的,那么这个时侯timing是可能会有问题的,专业术语叫做metal mismatching timing failure。但是这种系统偏差出现的概率是很低的,而且,即使出现了,也不一定就在关键路径上,我们完全可以牺牲一点点良率来换取时间、面积等成本,事实证明,我们也几乎不会因此出现明显的良率问题。
发表于 2016-11-14 17:13:29 | 显示全部楼层
关于RC corner的详细介绍,可以参考附件文档,很好的一个文档,真正理解了会对RC抽取方式有比较深入的了解,共享给大家! RC Extraction.zip (174.5 KB, 下载次数: 64 )
发表于 2016-11-18 10:05:28 | 显示全部楼层
回复 10# damonzhao


  版主你好~metal trace 指的是是什么呢,头脑里对这个没有一个概念..
 楼主| 发表于 2016-11-18 10:07:52 | 显示全部楼层
回复 449# skew


   是问metal track吧?
发表于 2016-11-18 10:38:47 | 显示全部楼层
回复 450# damonzhao

IMG_2568.JPG
   这个解图上显示的metal trace ,它是个虚拟的东西吗?就像类似一个metal 走线的通道?
 楼主| 发表于 2016-11-18 10:58:45 | 显示全部楼层
回复 451# skew


   看你截图的文字,你就理解为实际的metal绕线就行了。不必纠结具体怎么称呼
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