后端基本概念讨论专用贴

huyz0202 · 发表于 2016-11-4 16:07:16

在做STA分析时RC corner为什么不像OCV那样launch path和capture path向不同方向偏移，比如setup分析时launch path是worst case分析，capture path用best case分析？

skew · 发表于 2016-11-11 14:41:45

Q: What's the difference between timing-driven and congestion-driven placement?what are they(timing-driven & congestion-driven )?

empitiness · 发表于 2016-11-11 17:27:15

回复 443# huyz0202

你的意思是否这样：setup分析时，launch path用cworst corner, capture path用cbest corner？其实这样是没有意义的，因为RC corner的本质是不同的die，由于process parameter variation导致RC存在差异，同一颗die，是不会存在这些差异的，所以，同一条路径，用同一个corner来分析就好啦。

huyz0202 · 发表于 2016-11-14 10:38:22

回复 445# empitiness
我看到一本书上说RC corner的影响不是对不同die，而是对不同层的metal。

empitiness · 发表于 2016-11-14 17:00:15

回复 446# huyz0202

我觉得你这个说法不对，不同die之间（更准确的说应该是不同的wafer之间）的rc是随机偏差，而不同metal之间是系统偏差，两者都会有，严格来说我之前的解释说同一颗die RC corner是一样的是不对的。但是，现在系统偏差可以控制得很好，而随机偏差，则是无法预测及控制的，通常我们会用正态分布来模拟其分布，这才是我们RC corner的意义所在。当然，系统偏差不能说就不存在，比如你提到的PT为什么没有针对不同RC corner来分析，我现在理解你的意思：比如一个setup check，launch path用的是metal5，处于cworst corner, capture path用的是metal4，处于cbest corner，这种情况确实是可能存在的，那么这个时侯timing是可能会有问题的，专业术语叫做metal mismatching timing failure。但是这种系统偏差出现的概率是很低的，而且，即使出现了，也不一定就在关键路径上，我们完全可以牺牲一点点良率来换取时间、面积等成本，事实证明，我们也几乎不会因此出现明显的良率问题。