12B125M HS-SAR ADC in 28nm 的一点测试结果哈~

lonerinuestc

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哈，讨论下~，具体有啥问题哈
sumig 发表于 2016-1-18 13:59

                               
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    我觉得：
1. 这个电流源的阻抗如果做不上去，那么信号增益会随信号变化，产生很大的distortion；
2. 那个PMOS的source follower的带宽不能太窄，否则输入NMOS管的VDS同样会有信号调制，产生distortion。考虑到NMOS的cascode管的size肯定不小，所以这个source follower的功耗恐怕很大。
3. 如果在28nm下做，恐怕输入NMOS上仅用一个cascode都还不足以稳定VDS

sumig

回复 41# lonerinuestc
如你所说，source follower的结构确实是这几个问题，因此在28nm ADC IP里是没有没有集成这个结构的，摆幅受限，功耗也大，为了降低功耗可以试试switch source follower；曾经在55nm的一个AFE项需要内置了类似的输入缓冲器，70MHz输入的THD最后也就是在70dB左右，因为是高压供电，直接就是个耗电大户。

所以，我觉得paper里总是比内核FOM是很鬼扯没毛用的原因就是，从来不说input diver和reference buffer的问题，但是这俩是杠杠的功耗大户。

sumig

回复 41# lonerinuestc
如果不考虑功耗的限制，这个基本结构可以抑制一部分的输入NMOS的VDS变化的情况，改善一部分THD特性，但是NMOS管的衬偏效应不能消除，另外NMOS电流源也需要高的输出阻抗。

lonerinuestc

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如你所说，source follower的结构确实是这几个问题，因此在28nm ADC IP里是没有没有集 ...
sumig 发表于 2016-1-18 15:52

                               
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    你说得对。我曾经用BiCMOS做过Input buffer，做起来很爽快，用CMOS做起来感觉困难重重

vdslafe

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    我们以前投过带refbuf + input buffer 的sar adc到著名会议, 结果杯具

lonerinuestc

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    我们以前投过带refbuf + input buffer 的sar adc到著名会议, 结果杯具
vdslafe 发表于 2016-1-18 17:48

                               
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    居然有相同经历，握个手，我投的是pipeline，同杯具。。。感觉没有触摸到他们的G点

vdslafe

居然有相同经历，握个手，我投的是pipeline，同杯具。。。感觉没有触摸到他们的G点
lonerinuestc 发表于 2016-1-18 18:15

                               
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    他们只关心 fom 和sexy idea, 不太注重实际量产的问题。

sumig

回复 44# lonerinuestc

哈哈，是。还好在一些全集成的AFE方案的里，输入缓冲器的功能常常和前置的输入缓冲器结合在一起做了就。

sumig

回复 45# vdslafe

那就用来做商用化的东西赚钱吧哈哈哈哈~~

我为自己袋盐

dingyixia