运放和压控压源（VCVS）的区别

lishiliang · 发表于 2014-11-28 14:09:07

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各位大大：在analog设计时都应该用过VCVS做理想运放吧，不知道有没有试过仿真带隙基准时，将设计的MOS运放换成VCVS。理论上，用VCVS仿真的带隙基准应该有理想的温度特性
但实际仿真结果是，用MOS运放的带隙基准的温度特性曲线是抛物线形状的，而用VCVS的带隙基准
温度特性曲线反而很差。。。。

想不通啊？。。。。。这是为何？

wind2000sp3 · 发表于 2014-11-28 16:40:23

应该是VCCS

fightshan · 发表于 2014-11-28 21:15:40

啥曲线？直的？弯的？螺旋的？·······

jimipage · 发表于 2015-12-15 21:18:41

回复 2# wind2000sp3

对阿，MOS管是电压控制电流源

Jason-IC · 发表于 2021-12-24 15:02:37

怎么样用VCVS做理想运放啊，求指教

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[讨论] 运放和压控压源（VCVS）的区别

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