总有人喜欢用多子少子解释guard ring

gaojun927 · 发表于 2014-6-19 16:16:06

也许大家各自的出发点就不同。先说什么是干扰，在pll等电路里，数字电路引起ground bounce，然后通过衬底影响到vco，这是一种干扰。功率器件里一开一关，使得周边的电路几乎无法正常工作，这也是一种干扰。你喜欢用隔离度来举例子，也许在有的情况下，另一个人喜欢用晶体管的beta来反映抑制能力（这不是虚构的），其实无非是根据个人碰到的实际情况来建造一个合适的模型而已。

dabing · 发表于 2014-6-20 11:32:32

回复 1# fuyibin

请问电子和空穴在电场中的运动方向？你会理解别人为什么说多子少子,另外，pn结的势垒图也可以好好看看，有用的哈

fuyibin · 发表于 2014-6-20 13:35:45

回复 22# dabing

又不是不知到多子少子，问题是这种理论毫无实践指导意义
有些整天就知道用多子少子忽悠人
我让具体算一个guard ring的隔离度，结果都哑巴了
就知道用多子少子理论在做guard ring的layout engineer有多浮夸多虚了

荣耀3C · 发表于 2014-6-20 14:05:08

回复 23# fuyibin

那你就说说隔离度怎么算吧，好让我们开开眼，以前不知道这个概念啊！

fuyibin · 发表于 2014-6-20 14:41:36

回复 fuyibin

那你就说说隔离度怎么算吧，好让我们开开眼，以前不知道这个概念啊！
荣耀3C 发表于 2014-6-20 14:05

登录/注册后可看大图

isolation(dB)=20*log(noise couple path imepdance/local pick up gound impedance)
举个简单例子
噪声源从衬底耦合到受保护模块，这个路径电阻100欧姆，
受保护模块的衬底ptap和gnd电阻1欧姆
那么噪声源的地有100mV的ground bounce，到我们受保护模块的地就会有大约1mV的干扰
至于如可估算噪声耦合路径的电阻，这就需要个人的基础扎实，知识全面，对半导体工艺制程熟悉了

荣耀3C · 发表于 2014-6-20 14:46:51

回复 25# fuyibin

能否解释的再清楚些，最起码解释解释你的公式啊！！！

fuyibin · 发表于 2014-6-20 14:51:46

回复 26# 荣耀3C

公式？电阻分压不会算啊，100ohm 串联1ohm
... 我无语了

荣耀3C · 发表于 2014-6-20 15:10:06

回复 27# fuyibin

我是让你解释解释公式中衬底ptap电阻的估算好不好

fuyibin · 发表于 2014-6-20 15:22:54

回复 28# 荣耀3C

ptap电阻 pwell电阻+ p+电阻 + contact 电阻+ metal routing电阻

dabing · 发表于 2014-6-20 15:55:47

回复 29# fuyibin

说的没错，但是是分布式还是集总参数，你这个还是应该说清楚如果按你这个表达式，我们理解为集总参数，那么对实际又有何作用。

你问别个，别个没有用电子和空穴给你解释清楚，第一，可能确实别人理解不够深入，这个确实需要理解能力和时间的积累
第二，别人解释清楚了，但是你总是纠结在多子少子，所以处处为难别人，这个就是你的不对了哈
总之，问题是用来讨论的，不是用来做人身攻击的。

如果自己没有理解清楚，可以看看《the art of analog layout》guardring那一章节，另外基本的电场理论还是需要的，我觉得这个是认识这个问题的根本

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