带隙基准问题新手求助，求大神指导一下

_spectre · 发表于 2014-5-15 22:00:55

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电路与拉扎维书上的经典带隙基准（11.15）相似，只是没有采用两个BJT串联。调节电阻的大小，要么输出在1.25左右时，曲线不符合（负温度系数偏大），要么曲线吻合，输出电压高于1.3.。。。弄了好久了，一直不得其法，求大神指导，不胜感激

jiahe8726012 · 发表于 2014-5-15 23:17:33

上图吧

mpig09 · 发表于 2014-5-16 08:24:03

The bandgap voltage is not always 1.25V.

The target of bandgap is to get a temp. independent voltage.

If your bandgap voltage is 1.3V, you can use a resistor divider to get 1.25V.

mpig

_spectre · 发表于 2014-5-17 15:55:49

回复 2# jiahe8726012

s2is · 发表于 2014-5-19 17:52:29

The bandgap voltage is not always 1.25V.

The target of bandgap is to get a temp. independent volt ...
mpig09 发表于 2014-5-16 08:24

登录/注册后可看大图

Correct…… silicon bandgap energy is 1.12eV，and a bandgap energy referenced BGR is 1.12V+a*Vpt (refer to razavi book), where a is process related. Just use the design when you get the best TC.

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