P衬底N阱工艺的nmos源级与体端短接，体端不接衬底，风险大吗？

chenqiwei · 发表于 2014-3-4 09:01:04

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本帖最后由 chenqiwei 于 2014-3-4 09:43 编辑

P衬底N阱工艺的nmos源级与体端短接，体端不接衬底，风险大吗？能否在管子外面加一圈隔离来降低风险？

CDS · 发表于 2014-3-4 09:06:06

不知道你想问什么

semico_ljj · 发表于 2014-3-4 09:58:05

去工艺吧，这么问，有点？！

lishiliang · 发表于 2014-3-4 10:18:40

如果不是双阱工艺，你这样做是过不了LVS的。P衬底N阱工艺所有nmos共用一个衬底，LVS报告会告诉你，你的nmos衬底应该接到GND上。

peterlin2010 · 发表于 2014-3-4 12:26:29

iso nmos 可以

不過其實你可以接但是要改 DRC LVS command file

rockforever · 发表于 2014-3-4 15:08:10

如果不是深阱工艺，不能这么做。外面加一圈Nwell环或许能通过LVS，但只能在表层隔离，不是真正的隔离。

jamesccp · 发表于 2014-3-4 18:20:18

楼主莫非是指 NMOS 差分输入对管的 B 和 S 连接起来?
没有 deep-nwell 层做不到吧。

chenqiwei · 发表于 2014-3-5 08:59:17

回复 6# rockforever
如果深阱工艺，你有没有试过流片成功啊？

rockforever · 发表于 2014-3-5 16:42:13

回复 8# chenqiwei
深阱工艺中，这就是非常常规的一种接法了。大伙都这么做：）建议搜一下深阱工艺的视图，你就明白为什么这种接法没问题了。

Wilhelm · 发表于 2014-8-12 10:21:55

回复 9# rockforever

这个还是很好理解的，说简单一点就是N管也可以实现与sub隔离。我想问一下，如何确定所用的工艺是否为深井工艺，在工艺文件中哪里去找？

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