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查看: 5061|回复: 6

[求助] 常压buck下管NMOS可以不用deepnwell隔离吗？

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math123
发表于 2016-7-21 10:28:20 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 math123 于 2016-7-21 10:34 编辑

    例如输入2.5V-5.5V，输出1.2V 600mA，看到有的芯片下管NMOS是用deepnwell隔离的（NMOS做在pwell里），因为衬底n+二极管在死区时间内导通，引起latchup或者在衬底注入噪声。
    用普通不带deepnwell的标准工艺做可以吗? 例如用普通NMOS做下管，四周加粗地环，再加接VCCP的宽nwell & n+环，总之就是按照防止latchup的办法来处理，尽量减少衬底噪声对附近电路的影响。请问高手这样能实现吗，谢谢！
二极管, 隔离, 影响

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allentel
发表于 2016-7-21 10:45:56 | 显示全部楼层
都是这么做的，加deep nwell，做这个浪费。用power pmos和控制部分线路隔开就好。
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math123
 楼主| 发表于 2016-7-21 11:31:43 | 显示全部楼层


都是这么做的，加deep nwell，做这个浪费。用power pmos和控制部分线路隔开就好。
allentel 发表于 2016-7-21 10:45

                               
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谢谢，你的意思是一般都不用deepnwell是吧？

用power pmos和控制部分线路隔开的意思是：用power pmos将控制电路部分隔开(距离power nmos远些，减少噪声影响)？
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allentel
发表于 2016-7-22 16:03:46 | 显示全部楼层
是的，nmos的body diode开启时候，有sub noise，可能影响控制部分线路。
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math123
 楼主| 发表于 2016-7-22 17:37:49 | 显示全部楼层


是的，nmos的body diode开启时候，有sub noise，可能影响控制部分线路。
allentel 发表于 2016-7-22 16:03

                               
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那常压boost同理也可以用不带deepnwell的标准工艺吧，功率PMOS用普通nwell管就可以了?
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鲶鱼
发表于 2022-7-7 11:26:38 | 显示全部楼层
bump  。。。
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lndxeb
发表于 2023-11-23 16:57:55 | 显示全部楼层
没试过，期待高手回复
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