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[求助] P衬底N阱工艺的nmos源级与体端短接,体端不接衬底,风险大吗?

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发表于 2014-3-4 09:01:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 chenqiwei 于 2014-3-4 09:43 编辑

P衬底N阱工艺的nmos源级与体端短接,体端不接衬底,风险大吗?能否在管子外面加一圈隔离来降低风险?
发表于 2014-3-4 09:06:06 | 显示全部楼层
不知道你想问什么
发表于 2014-3-4 09:58:05 | 显示全部楼层
去工艺吧,这么问,有点?!
发表于 2014-3-4 10:18:40 | 显示全部楼层
如果不是双阱工艺,你这样做是过不了LVS的。P衬底N阱工艺所有nmos共用一个衬底,LVS报告会告诉你,你的nmos衬底应该接到GND上。
发表于 2014-3-4 12:26:29 | 显示全部楼层
iso nmos 可以


不過其實你可以接但是要改  DRC LVS command file
发表于 2014-3-4 15:08:10 | 显示全部楼层
如果不是深阱工艺,不能这么做。外面加一圈Nwell环或许能通过LVS,但只能在表层隔离,不是真正的隔离。
发表于 2014-3-4 18:20:18 | 显示全部楼层
楼主莫非是指 NMOS 差分输入对管 的 B 和 S 连接起来?
没有 deep-nwell 层做不到吧。
 楼主| 发表于 2014-3-5 08:59:17 | 显示全部楼层
回复 6# rockforever
如果深阱工艺,你有没有试过流片成功啊?
发表于 2014-3-5 16:42:13 | 显示全部楼层
回复 8# chenqiwei
深阱工艺中,这就是非常常规的一种接法了。大伙都这么做:)建议搜一下深阱工艺的视图,你就明白为什么这种接法没问题了。
发表于 2014-8-12 10:21:55 | 显示全部楼层
回复 9# rockforever


   这个还是很好理解的,说简单一点就是N管也可以实现与sub隔离。  我想问一下,如何确定所用的工艺是否为深井工艺,在工艺文件中哪里去找?
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