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楼主: B40514066

[求助] 有源区与扩散区的区别

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发表于 2013-7-18 16:41:02 | 显示全部楼层
回复 24# lixiaojun707

这样啊!
发表于 2013-7-18 20:10:47 | 显示全部楼层
四楼说的很有道理
发表于 2013-7-18 23:13:24 | 显示全部楼层
其实,ACTIVE=DIFFUSION。IMPLANT因为对准误差,所以范围大于ACTIVE区。
发表于 2013-7-22 15:16:05 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2013-7-23 12:07:51 | 显示全部楼层
其实,我觉得扩散区是指的imp层包裹的地方,有源区是poly下面覆盖的地方,所以他俩不是同一个概念!
发表于 2013-7-23 17:04:11 | 显示全部楼层
总结一下:

整个硅片表面分为两种区域:有源区 (active) 和 场氧区 (Fox) [20楼]
有源区内,原来的场氧(厚)会被去除,形成栅氧(薄)[24楼]
有源区内,画好NP或PP的区域会分别注入离子,并分别形成N Diffusion和P Diffusion。[21楼] 两者合称扩散区 (implant) [24楼]
有源区外,即使画出NP或PP,离子也无法成功注入并形成Diffusion,因为厚场氧层隔绝了离子的注入 [22楼]
发表于 2013-11-12 16:32:20 | 显示全部楼层
发表于 2014-10-11 21:31:48 | 显示全部楼层
不懂唉
发表于 2014-10-17 09:50:54 | 显示全部楼层
我的理解是有源区的是用来打开imp的窗口,(其mask的作用主要是用来淀基STI层),扩散区主要是通过自对准进行离子注入。
发表于 2014-10-18 22:57:42 | 显示全部楼层
回复 4# L_ju


   很到位了
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