有源区与扩散区的区别

loopgain · 发表于 2013-3-26 15:01:34

各个Foundry定义还有区别的。

bellye · 发表于 2013-4-23 20:38:16

好抽象啊，搞不懂滴~~

jr3749352123 · 发表于 2013-5-6 21:52:20

我是来找答案的

yxh4348 · 发表于 2013-5-8 21:22:10

额。。。。。差不多了解了。。。。。。

lusen · 发表于 2013-6-19 17:21:38

20楼正解，学习了

zjwumei · 发表于 2013-6-22 12:46:10

做个调查，有多少画版图的朋友没学过工艺？

aurorayincan · 发表于 2013-6-23 12:28:10

学习一下～

brightheart · 发表于 2013-7-11 17:34:44

学习过很过遍工艺，总是不透彻。
越讨论越明。看过四楼的解答，再仔细想了一想，果真比以往理解得深入

lixiaojun707 · 发表于 2013-7-12 13:59:39

http://bbs.eetop.cn/thread-302609-1-1.html

关于Nmoat和Pmoat的讨论与解释

在《模拟电路版图的艺术》中，常出现Nmoat和Pmoat，之前已经有人讨论（参见http://bbs.eetop.cn/viewthread.p ... p;extra=&page=1，在看版图艺术这本书时，里面的PMoat和NMoat看不明白）

《模拟电路版图的艺术》中文版88页是这样介绍的：“图3.29展示介绍了使用成为N型沟槽和P型沟槽的绘制实现CMOS晶体管的一般方法。这些层并不对应于独立的掩模板，而对应于几个掩模板的结合。绘制在N型沟槽（Nmoat）层上的图形可以同时产生NSD和沟槽掩模板的图形。同样，绘制在P型沟槽（Pmoat）层上的图形可以同时产生PSD和沟槽掩模板的图形。沟槽的几何尺寸一般与产生它们的N型沟槽区和P型沟槽区相同，而NSD和PSD的图形会略大一些，以保证源/漏注入区完全覆盖沟槽区开孔。使用Nmoat和Pmoat绘制层可通过减少绘制晶体管所需的图形简化版图。”

上述介绍可以通过下面图进行解释。图中斜线绿色矩形为多晶硅栅、红色虚线三角形填充的虚线框矩形为沟槽层（通常可以说为开窗尺寸，通常版图中起名为有源区）、其它两个黑色虚线矩形为注入层1、注入层2。这些层都是版图的绘制层。

在MOS管的制作过程中，步骤如下：

先光刻制作多晶硅栅GC（MOS管的栅极）è使用沟槽层刻蚀开孔è依次离子注入注入层1（注入层的图形比开孔、开窗稍大些，保证离子完全注入。DRC会有检查）è离子注入注入层2。完成MOS管制作。

注入层1、注入层2，可以是N型（或P型）离子、MOS管阈值调整离子注入/沟道效应调整注入层等等。根据工艺的不同，可以有不同或更多的注入层。从而可以制作实现不同类型的MOS管。

至于书中提到的“使用Nmoat和Pmoat绘制层可通过减少绘制晶体管所需的图形简化版图。”，不是很清楚。

下载 (19.83 KB)

2011-7-28 20:41

以上只是个人的结合工作的体会认识，希望大家多多回帖讨论。

lixiaojun707

laplace33 · 发表于 2013-7-15 01:10:11

学习了。。。

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