有源区与扩散区的区别

fangwang85 · 发表于 2015-10-29 17:19:45

学习了，之前没有仔细想过

西门吹雪cmosqwe · 发表于 2015-11-6 15:01:49

也来学习一下我们这边就是diff ppll npll 三种

棍棍儿 · 发表于 2015-11-9 11:48:32

我是来学习的～

宋金星 · 发表于 2015-11-11 16:36:52

4楼的解释很牛啊

muyu8780 · 发表于 2015-11-22 17:03:11

回复 1# B40514066

有源区就是在硅片表面的厚场氧上划出一块用作器件，也就是器件所在的区域，而N+,P+是用来制作源漏区的

研究生笑笑 · 发表于 2015-12-19 17:07:43

解释很好，逐渐看懂了，但还是没有弄懂diff和imp区的区别，看的好像imp区大于active区。diff是扩散区的意思吗，imp是离子注入的意思吗，如果是，这两个区域应该根据具体需要来确定区域，觉得没有区分的需要，倒是fox和active要区分好。

吴国耀 · 发表于 2016-4-17 02:20:16

谢谢分享

1031986490 · 发表于 2016-4-21 14:49:51

学习了

gb788 · 发表于 2017-3-4 14:40:44

有源英文是active，应该就是电流能流过的地方

上官天 · 发表于 2017-6-6 17:21:59

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