求大家帮我看我这高频VCO版图。

ys0290 · 发表于 2013-5-16 21:41:06

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这是我设计的一个振荡在12.5G的一个正交VCO，采用TSMC65nm GP工艺。上面是完整的电路图，所有的管子采用的是射频管。这是我同学告诉我的，之前我用的是普通管。我想问，VCO是否需要射频管，相对于普通的管子，用射频管又会有怎样的弊端。下面的图是我刚画的pmos_rf的交叉耦合对。求大家帮我看看有何不妥。谢谢了。感谢啊

ys0290 · 发表于 2013-5-16 21:44:05

[img][/img]

ys0290 · 发表于 2013-5-17 09:18:20

求大家帮我看看啊

jyh_happy · 发表于 2013-5-17 16:08:43

射频电路注意寄生就好了。具体的问题需要提出来才能帮你分析

ys0290 · 发表于 2013-5-20 10:24:00

回复 4# jyh_happy

您好，我想问对于我这个12G-13G的VCO，我的后防要做到高的频率，才能是流片回来VCO振荡在这个区间？是否工艺角仿真的结果就和流片回来的结果接近？

蘑菇要冷静 · 发表于 2013-5-21 23:22:31

我就想知道，你们为啥一眼就看出是射频电路了。

lwq_119 · 发表于 2013-5-30 09:33:46

射频电路的结构都差不多那样。哈哈

ANHARTE1982 · 发表于 2013-8-4 11:44:59

因为这个电路用的应该是交叉耦合结构，里面有电感，普通的模拟的PLL，很多都是用环形震荡结构，所以能看出来，应该是射频电路，看楼主的应用区间，难不成楼主做的项目是微波领域？

danglang · 发表于 2013-8-7 11:06:10

回复 5# ys0290

spec上写10G，测试下来最多也就是8.5G到9G左右。
你要是想实测12~13G，后仿怎么也得到14G才成吧？再有就是看工艺了。有些工艺在高频下漂得略离谱。这个情况，仿了也白仿。

ps:本人刚入行。

zoujunlin · 发表于 2013-8-7 23:08:59

使用rf器件，可以更加准确的提高仿真精度，一般rf器件在版图上不要进行合并，就是为了保证shematic中的器件model与instance出来的器件layout后仿性能尽量接近。一般射频VCO的实际频率与前仿有个10%-20%的误差很正常，能trim回来就算成功

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