SOI工艺及注意事项

terry8876 · 发表于 2012-3-26 08:41:10

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有朋友用过SOI工艺么，请问SOI工艺是什么，与体硅工艺有什么区别，还有就是使用这种SOI工艺有什么需要注意的地方？

fuyibin · 发表于 2012-3-26 12:59:00

回复 1# terry8876

SOI么有用过，以前在学校里学过
SOI silicon on isolator , 就是在绝缘层上的很薄的一层硅上面做器件，器件有FD和PD两种
fully depletion 和 partial depletion，就没有衬底的概念，就是一个3端器件，source+channel+drain
SOI器件到衬底的漏电会小。但是SOI非常不利于散热，由于衬底是绝缘层，那么期间两边都是绝缘层，散热很困难

terry8876 · 发表于 2012-3-26 21:27:05

回复 2# fuyibin

3Q~

trid742 · 发表于 2012-3-28 15:09:58

SOI选择工艺首先应该确定薄膜、厚膜，最基本的理解就是FD/PD.
SOI一般用于抗腐蚀，低压低功耗方面，国内最常见的就是军用，例如航天771,772啦。
SOI相对于体硅工艺有很多好处：不用担心latchup，亚阈值斜率大，最直接的好处就是器件在亚阈值区漏电小，或者说器件可以工作在比较低的电压下。
对薄膜SOI而言，源漏区耗尽区小甚至只在沟道一侧才有，寄生电容小，同样功耗下可以获得较快速度。
SOI最主要的问题是wafer很贵，至少是相同体硅wafer 6倍以上，一般器件是用不起的