可弯曲的RF CMOS 电路(树脂材料)

zaelste · 发表于 2015-7-4 18:36:59

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

和欧洲这边交流, 了解了最新的欧洲一些研究, 一篇投稿IEDM的文章,把最关键的部分SHARE 给大家.

SOI circuit on polyimide

通过特殊工艺, 把SOI 下面的SUBSTRATE去除, 然后把POLYIMIDE BONDING 到SOI 的BOX 上, 这样整个电路就很薄, 可以弯曲.

关键的是看一下, 弯曲后, 电路特性是否改变. 根据最新研究结果, 几乎没有任何变化.

也就是说, 可折叠的电路工艺在SOI上会看到很多的应用. 以上信息, 希望对国内研究电路的有帮助.

zaelste · 发表于 2015-7-5 07:20:34

图片中有两个箭头, 一个是IDS-VDS (平放和各种弯曲的情况下), 另一个是DELTA IDS, 就是IDS的变化. 所以, 上面一张图的坐标名称DELTA IDS是正确的.

alienwarexie · 发表于 2015-7-5 08:02:41

楼主牛X

angelaboy · 发表于 2015-7-5 14:11:57

工艺又要先行了。

feynmancgz · 发表于 2015-7-6 16:18:40

主要可能是性能上的提升，基本的idea已经是好几年前的东西了。。。。。。

zaelste · 发表于 2015-7-6 17:19:41

回复 5# feynmancgz

IDEA 是很久了, 国内已经用柔性材料做了, 不过在SOI 上, 应该没有. 所以, 工程角度来讲, 欧洲跑在前面了. 就象有人说的, 工艺先行.

打算明年请文章作者来国内和大家一起交流.

feynmancgz · 发表于 2015-7-6 17:25:31

回复 6# zaelste

我说的就是在SOI上做，这个就已经是几年前的东西了，大概是2011年吧

nareshreddy · 发表于 2015-7-18 19:51:51

rrerererewrewrewrwer

newrfdesign · 发表于 2017-9-8 16:56:17

????hm...

[原创] 可弯曲的RF CMOS 电路(树脂材料)