SOI 28nm 和SiGe HBT的 SELF HEATING 效应对设计的影响

zaelste · 发表于 2014-8-4 15:54:18

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SELF HEATING现象在器件描述中变得越来越重要, 这对射频电路的设计也是必不可少的, 因此附件文章介绍了如何测量SELF HEATING 现象, 如何抽出模型, 如何在实际的电路中RING OSICLLATOR 和PA CELL中的验证等待. 具体内容也可以下面的附件中了解.

thermal_zimmer_public.pdf (2.38 MB, 下载次数: 233 )

LUCK168168 · 发表于 2014-8-25 08:40:49

THERMAL IS MOST IMPORTANT PART OF IC DESIGN

ffqq · 发表于 2014-12-6 09:16:53

下载学习学习

kchunlei · 发表于 2015-5-27 10:51:15

多谢楼主

ffqq · 发表于 2015-7-1 12:00:43

下来看看

muxl1 · 发表于 2016-3-9 23:18:12

了解一下

specialest · 发表于 2018-5-22 17:20:23

SELF HEATING

KINGLYWAY · 发表于 2018-10-27 09:55:48

goooood

xhauzhang · 发表于 2018-12-10 10:38:20

thanks.

[讨论] SOI 28nm 和SiGe HBT的 SELF HEATING 效应对设计的影响