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[求助] mos管做esd时,为什么漏端到poly的距离大于源端?

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发表于 2011-8-23 11:17:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

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mos管做esd时,为什么漏端到poly的距离大于源端?麻烦大虾们解释下。。
发表于 2011-8-23 11:30:38 | 显示全部楼层
源区相当一个小电阻起到降压振流的作用, 可防止大电流从漏端进来影响到POLY.
发表于 2011-8-23 14:05:27 | 显示全部楼层
学习了!
 楼主| 发表于 2011-8-23 17:23:02 | 显示全部楼层
回复 2# chenhongtv


    请问这和拉大漏端距离有什么关系?
发表于 2011-8-24 14:07:20 | 显示全部楼层
漏端上的接触孔到POLY的距离大了, 这部分的源区电阻就相应大了, 可以起到作用了.
发表于 2011-8-24 15:55:35 | 显示全部楼层
将漏区拉大,是为了增大漏区的电阻,从而能承受更大的电压。
 楼主| 发表于 2011-8-25 08:48:19 | 显示全部楼层
回复 6# terry8876


    我知道一定的电阻可以钳位电压,但是esd主要是说如何泄放大电流的问题吧!
发表于 2011-8-25 09:50:55 | 显示全部楼层
漏区的距离大是为了保证可以形成足够宽度的漂移区以承受电压,这是非对称的管子
发表于 2011-8-25 14:52:19 | 显示全部楼层
回复 2# chenhongtv


    2楼说得对,增加漏端的距离是为了使漏极的串联电阻变大,相当于在ESD的引脚上串联了一个镇流电阻,从而使管子承受更大的击穿电压!
 楼主| 发表于 2011-8-26 09:27:42 | 显示全部楼层
回复 10# ghifi37


    这么说增大漏区的间距是因为电压的关系?esd的电阻应该不大,相对大电流来讲,电压应该不是主要的关系吧!那天我问了下我们的工程师,他说主要是增大间距其实就是增大漏区的面积,也是增加大电流的泄放通路。这个解释我觉得还是有理。。。不过还是谢谢各位。。。
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