在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 20603|回复: 17

[求助] 关于NMOS和PMOS的输出阻抗比较

[复制链接]
发表于 2011-8-17 17:18:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
对于给定的器件尺寸和偏置电流,NMOS晶体管呈现出较高的输出电阻,为放大器中提供了更理想的电流源和更高的增益(拉扎维,32页)。为什么说NMOS具有较高的输出电阻,这个输出电阻是怎样看的,有没有求输出电阻的相关公式?请大侠给小弟指点
发表于 2011-8-18 08:39:23 | 显示全部楼层
我感觉要是单纯的MOS管的本征输出阻抗的话,不妨画一下小信号等效图,这样可以更准确的把握!不过有一点要明确的是,输出阻抗就是输出电压除以输出电流,这样的话就要把输入置0,同理输入阻抗是要把输出置0!你看按这样的方法能不能求出书上的推导!
发表于 2011-8-19 18:18:05 | 显示全部楼层
输出阻抗不是ro么?
发表于 2011-8-19 20:29:51 | 显示全部楼层
输出阻抗是ro,表现在mos管的参数上就是λ
一般的情况下n管的λ较小
但是也有例外,我见过一个制程,n管反而差一些
发表于 2011-8-20 07:14:13 | 显示全部楼层
ro=1/(lamda*Id)=1/(lamda*u*Cox*(w/l)*(Vgs-Vth)^2),
貌似这个输出阻抗和lamda,u,Cox等工艺参数有关,只能泛泛的说,N管的输出阻抗相对P管可鞥高点~
发表于 2011-8-20 10:18:50 | 显示全部楼层




    恰恰相反,大多数工艺是PMOS的输出电阻较大的,相同的L和电流下。
发表于 2011-8-20 10:36:40 | 显示全部楼层
ro正比与衬底浓度
发表于 2011-8-22 03:07:02 | 显示全部楼层
有木有人总结下,各种说法~
发表于 2011-8-22 09:53:58 | 显示全部楼层
我也觉得是PMOS的输出阻抗大的吧
发表于 2011-12-20 16:17:48 | 显示全部楼层
好像NMOS的输出阻抗大吧?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

X

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-5-28 05:22 , Processed in 0.022549 second(s), 7 queries , Gzip On, MemCached On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表