云芯微电子诚聘模拟及射频，电路及版图设计工程师

zhaoyc

7楼说的很有道理

scansky

呵呵
好像就是针对核高基的一些项目去的
那些项目真要较真起来，国内绝对没有公司能够做出了
一些参数国外TI，ADI都没有产品出来，你凭什么

qerqing

招实习生就好了

wuleilei

顶一下

piao

至少在CMOS上面工艺的差距已经可以忽略了。至于设计能力，国内不缺聪明能干勤奋的人，缺的是在国外一流公司真正有经验的资深设计师的点拨。好的设计师，并不在于设计电路的多少，而在于能否真正理解明白电路的精髓。
liqiyue 发表于 2010-5-30 22:13

                               
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有点道理！

piao

所以就需要有实力的海归来引导啊。
中国的海归潮虽然有些年头了，
海归归国就象我们钓鱼一样，开始闹窝的大都是小猫鱼，
等你快失去耐心了，大鱼就又过来。

这个好机会，希望有识之士抓住！
greatwater 发表于 2010-6-3 15:24

                               
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海归时可以起引导作用，但是这并不是一个企业成功的充分条件。
一个公司的成功需要产品和市场，这两者缺一不可。

其二，海归来引导，这也需要看怎么引导。找一帮小弟打杂？海归独揽核心技术？

mscircuit

就中国IC的现状，当然在ADC领域多一些实践还是有必要的。或许成功很难，但做多了、做长了就必会积累些东西。但仅靠海归的所谓核心技术，肯定还不够，只是一个积极因素吧了。
现在很多DesignHouse，不光在技术、资金、市场方面有很多问题，管理因素确实也很烂。
希望有些公司快快成熟。

xiaowanzi88

就所谓CMOS工艺国内和国际差距已经不大了，这个问题谈一下自己的看法。
个人认为这个差距至少是10年！举个例子吧，国内的fab做0。5um工艺，MOSFET的poly通常用SiN材料，而国外优秀工艺用SiTi,为什么国外工艺用这种材料？大家都知道，DC OFFSET里面有一个参数，Avth域值电压失配系数，国外工艺比如JAZZ,Xfab可以控制在2.5左右，而上华，SMIC,TSMC压根没管这个参数的提取，我们设计时候为了减小mismatch只能把匹配器件做大面积，这样寄生电容大了，速度就受到限制，显然无法满足高性能ADC/DAC要求。其他很多细节也是如此，可见同一种工艺，不同的fab在高性能应用场合，差别是很大的！

guang3000

就所谓CMOS工艺国内和国际差距已经不大了，这个问题谈一下自己的看法。 个人认为这个差距至少是10年！举个例子吧，国内的fab做0。5um工艺，MOSFET的poly通常用SiN材料，而国外优秀工艺用SiTi,为什么国外工艺用这种材料？大家都知道，DC OFFSET里面有一个参数，Avth域值电压失配系数，国外工艺比如JAZZ,Xfab可以控制在2.5左右，而上华，SMIC,TSMC压根没管这个参数的提取，我们设计时候为了减小mismatch只能把匹配器件做大面积，这样寄生电容大了，速度就受到限制，显然无法满足高性能ADC/DAC要求。其他很多细节也是如此，可见同一种工艺，不同的fab在高性能应用场合，差别是很大的！

学习了，平时看论坛的讨论，还以为这个阈值电压的失配很多工艺厂会给，原来不是。
至少 charter 0.35um就完全没给，MOS失配的参数也一个没给。。。

anson8369

其实大家总是在说差距有多大多大。。难得国内有这么一帮人，有这么一个公司，肯用自己的时间，用自己的精力来投身尝试，来开创这条路，是很值得鼓励的。只要他们认为值得做，那就不是不切实际了。。。还是赞一下吧。