smic版图规则

幸福喵喵教主

   

秃头ICdesigner 发表于 2025-11-7 11:17
原理上没问题   现在有一个问题是sn做单独的阱隔离的时候为什么会从nw伸出一部分  外面的guardring还需要 ...

个人感觉是因为S家技术不精湛

秃头ICdesigner

   

幸福喵喵教主 发表于 2025-11-7 13:15
个人感觉是因为S家技术不精湛

CSMC家的BCD工艺也是这样的

幸福喵喵教主

   

秃头ICdesigner 发表于 2025-11-7 13:17
CSMC家的BCD工艺也是这样的

若 N + 注入未覆盖 NWELL 的全部范围（尤其是边缘区域），NWELL 边缘与金属的连接需通过低掺杂的 NWELL 体区传导，增加串联电阻。在大电流场景（如功率 PMOS）中，这会导致额外功耗和发热，甚至影响器件开关速度.

秃头ICdesigner

   

幸福喵喵教主 发表于 2025-11-7 13:41
若 N + 注入未覆盖 NWELL 的全部范围（尤其是边缘区域），NWELL 边缘与金属的连接需通过低掺杂的 NWELL  ...

这是哪一本书上写的吗  可否指下出处？谢谢！