smic版图规则

秃头ICdesigner · 发表于昨天 00:34

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各位大佬，我找的这份工艺是不是有问题，为什么SN区域甚至比NWELL还要大？这个有什么讲究吗还是就是工艺问题。

maomao198477 · 发表于昨天 08:04

drc跑了？

keenkeen · 发表于昨天 09:20

学版图首先是要学一下工艺的步骤

秃头ICdesigner · 发表于昨天 10:20

maomao198477 发表于 2025-11-7 08:04
drc跑了？

drc跑了没报错

秃头ICdesigner · 发表于昨天 10:21

keenkeen 发表于 2025-11-7 09:20
学版图首先是要学一下工艺的步骤

可以讲讲吗

maomao198477 · 发表于昨天 10:33

秃头ICdesigner 发表于 2025-11-7 10:20
drc跑了没报错

没咋问题的

秃头ICdesigner · 发表于昨天 10:42

keenkeen 发表于 2025-11-7 09:20
学版图首先是要学一下工艺的步骤

integrated：单管加衬底接触，并且衬底和source同电位，可以选择这种模式。
detached：单管加衬底接触，并且衬底和source 可以接不同电位，可以选这个模式。

发现是这个问题了感谢

秃头ICdesigner · 发表于昨天 10:43

maomao198477 发表于 2025-11-7 10:33
没咋问题的

body type 选的detached

幸福喵喵教主 · 发表于昨天 11:08

实际起连接NW效果的是这个红色区域,原理上没问题吧

秃头ICdesigner · 发表于昨天 11:17

幸福喵喵教主发表于 2025-11-7 11:08
实际起连接NW效果的是这个红色区域,原理上没问题吧

原理上没问题现在有一个问题是sn做单独的阱隔离的时候为什么会从nw伸出一部分外面的guardring还需要怎么画

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