decap管子漏电

peterlin2010

ESD 產生浪涌 EOS ..

先去 切 cross-section 看 oxide 厚度  ..可能量产时 变薄

CMOS process 类 oxide  或 pip 那 介电层用长 , 实际上很难保证"厚度多完美"  且 , 没切开 cross-section 下 根本没法直接监看 介电层厚度

totowo

   

kwankwaner 发表于 2025-8-27 16:25
这句话有出处么？

深亚微米下数字用的dcap就是这种 PMOS+NMOS 结构啦，
不过模拟很多时候还是老习惯

vincentwjw

   

totowo 发表于 2025-8-26 16:25
我们碰到过，早夭测试有个别fail，后来发现tsmc的可靠性文档里有提到这种现象，尤其是MOSCAP上叠加MOMCAP的 ...

请问具体是哪个工艺呢？我刚好现在有个项目在.18BCD GEN3上做的，就是MOS叠了MOM。

knowworlds

   

totowo 发表于 2025-8-27 11:30
早夭测试，即Early Life Failure Test (ELFT)，是AECQ100里的一个标准程序，这个跟HTOL有一点类似，但区 ...

我这个出问题的地方不是MOS叠MOM，是纯MOS。

knowworlds

   

totowo 发表于 2025-8-28 11:29
深亚微米下数字用的dcap就是这种 PMOS+NMOS 结构啦，
不过模拟很多时候还是老习惯

但是到FINFET工艺，T库里面自带的也有直接接到GATE的DECAP。FINFET工艺下大规模使用会出问题吗？我以前也是PMOS+NMOS的结构，但是这种结构的Cap Q掉的很快，高频容值比较差，毕竟PMOS+NMOS产生了额外的电阻。