在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜帖子
查看: 84|回复: 0

[求助] 晶合工艺连接pad测试latch up没有报任何错误

[复制链接]
发表于 4 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

×

如题,刚开始从业版图这一行业,之前只用过东部的工艺。最近换了晶合的工艺。我在试着看看能不能跑latch up的时候想着把n,pmos靠在一起,随便连了一个pad测试一下latch up却没有报任何错误。在用东部的时候记得是直接连接PAD就可以测latch up的错误了。看了下PDK也只有短短的俩行,分别是:nmos和pmos有源区要相距30um。规则文件里也一样只有这俩行
但他是有关于PAD的DRC规则的,所以现在非常疑惑是需要我手动确认latch up吗,还是说有专门跑latch up的文件,又或者是有连接PAD的器件识别层吗。

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-8-11 21:20 , Processed in 0.014148 second(s), 3 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表