[问题解决了]请问这种mos管的match方式有什么好处啊？内图请进

nnnothing · 发表于 2020-10-10 16:59:50

thanks for sharing

haihai2015 · 发表于 2021-2-19 20:48:33

学习

juliansky · 发表于 2021-2-20 22:15:47

谢谢分享

meomeo1 · 发表于 2021-8-21 05:08:09

谢谢分享

Expecto-Patronu · 发表于 2021-8-25 11:32:08

学习啦！！！

billjean · 发表于 2021-9-6 02:52:28

学习了

rnistake · 发表于 2021-9-18 17:57:27

这样可以提高电流匹配，增加电流镜输出阻抗，提高PSR。如果将pmos下边的饱和区管子的衬底接地（仅限FDSOI工艺，背栅偏置），可以降低其阈值电压，使得靠近电源的PMOS也处于饱和区，提供一个更大的ro，总的等效ro进一步提高，并且不用很大的length，这对于PSR有较大的帮助。

smile1215 · 发表于 2021-11-15 19:41:38

很好，学习一下~

CmosLgh · 发表于 2021-11-16 20:14:07

好帖顶，之前在公司遇到这样的结构问领导了，领导胡扯一堆没弄明白，现在听听正确的解释。

CmosLgh · 发表于 2021-11-16 20:38:56

kool 发表于 2008-4-1 10:16
确实是self-cascode结构，传一篇相关论文

感谢大哥分享！

站长推荐 /2