[问题解决了]请问这种mos管的match方式有什么好处啊？内图请进

huangfei888 · 发表于 2011-11-22 15:31:51

受益匪浅啊学习。。

草木风 · 发表于 2012-1-29 17:36:06

看了前好几楼的讨论，受益匪浅。。。谢谢

semico_ljj · 发表于 2012-1-29 20:48:42

还是自偏置的

jeff_zx · 发表于 2012-1-30 23:04:18

这是个好帖子，mark一下

weimianke · 发表于 2012-1-31 18:07:25

mark MARK MARK

此系封 · 发表于 2012-5-14 22:07:36

受益匪浅啊

钐钐 · 发表于 2012-12-5 11:55:49

对的，我也有这种疑问。同样管子的尺寸，比如20/4，为什么要改成5/4，5个并联？这样有什么好处吗？还有，管子处在亚阈值区时，除了调栅源电压怎样让他进入饱和区呢？貌似栅源电压一改变，他的阈值电压也会改变，工艺中的L已经达到最大，不知道怎样再增大漏源电压了

helongknight · 发表于 2012-12-5 12:09:55

靠近电源的pmos工作于线性区，尺寸比为3:1，可以使其vds约为一个vth，这样公共栅极电压就变成了vgs+2vth了，从而输出管的vds就为vgs+vth了

semico_ljj · 发表于 2012-12-5 12:30:36

不错nice

semico_ljj · 发表于 2012-12-5 13:21:09

再次Mark

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