[问题解决了]请问这种mos管的match方式有什么好处啊？内图请进

Harvy · 发表于 2010-11-29 14:52:17

应该是有更好的PSRR

skycloud · 发表于 2010-12-1 19:37:49

回复 23# kool

thanks for your paper

wuzl423 · 发表于 2010-12-2 09:26:42

十分感谢64#

metotj · 发表于 2010-12-2 16:33:22

这就相当于两个管子串联嘛，等效于增加沟道长度
20um/3um串联20um/1um 就成为20um/4um
不过我想说的 ...
fuyibin 发表于 2008-3-26 17:34

登录/注册后可看大图

和后边同学说的格雷的P271的说得是一个意思.
另外,一般工艺下, W/L越大VTH越大, 所以靠近VDD和GND的MOS管的VTH要小一些, 更容易工作在线性区. 所以这种结构的特性也许不如理论分析的那样好

ztwhzy · 发表于 2010-12-4 16:52:13

kanka nzmy

ss758 · 发表于 2010-12-4 22:54:18

一起讨论

cllf · 发表于 2010-12-6 14:46:55

xuexi...

filterlife · 发表于 2011-5-11 03:09:52

受教了，今天刚调了这种偏置结构

lindychen · 发表于 2011-5-11 21:04:00

这种结构有没有实际流片应用过呢

fhchen2002 · 发表于 2011-5-11 21:39:13

回复 1# guangshao

沒有什麼好處
和 W/L = 20 / 4 single pMOS 的效果相當 (equivalent effect)

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