[讨论/求助]当gate电压超过source的时候会发生什么?

disastar

几乎所有的电路分析模型都在分析时假定了如nmos中: gate电压至少大于等于source电压
那么gate电压从上穿过source端电压会发生什么?
我目前的理解是, 由于电压超越, 反型区无法维持非平衡载流子, 因此被全部pump out
而由于一般情况下, 代表反型区的小三角形和source端接触更多(因为电势差等原因) 所以反型区的电荷会被排入source端
引起一个不完全是电容耦合的小电流

这是我的初步分析, 希望能有大佬斧正

disastar

PS: 指的是 在nmos中, gate端电压反而比source端电压更低的情况