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[求助] 射频/毫米波集成电路设计后仿真寄生参数提取怎么做?

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发表于 4 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近看相关毕业论文,射频/毫米波集成电路设计后仿真,有的是不对有源器件做PEX寄生参数提取,只对无源器件进行EM仿真获得s参数,然后联仿;

有的是对有源器件进行寄生参数提取,并与无源器件的EM仿真的s参数联仿。两种哪个更接近实际流片呢?

此外对有源器件进行寄生参数提取,并与无源器件的EM仿真的s参数联仿,这种后仿真方式如何界定,版图的哪部分属于无源,哪部分属于有源呢?

第一幅图所属的文章Pad部分算在有源提参的部分

而另一篇文章(第2幅图)的EM仿真却包含Pad

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发表于 4 天前 | 显示全部楼层
第一篇文章它提取的部分也是无源啊,只不过有源电路附近的走线也提进去了,这样提取出来的S参数可以直接与PDK里带RF model的晶体管连接,不需要对有源部分再做寄生提取
第二篇文章它是把有源管+周围走线用pex等工具提的寄生,其余无源部分用HFSS提
 楼主| 发表于 4 天前 | 显示全部楼层


happylly 发表于 2024-11-14 19:02
第一篇文章它提取的部分也是无源啊,只不过有源电路附近的走线也提进去了,这样提取出来的S参数可以直接与P ...


感谢你的回答,但是你回答里面第一篇的(有源电路附近的走线)和第二篇的(+周围走线)感觉二者其实没区别。

我的疑问是,怎么界定有源部分和无源部分呢?


有源器件附近的走线——大概要多近呢?因为即使是有源器件附近的走线在高频下也会有一定的寄生电感,可不可以极端一下只把有源器件挖去然后对版图做EM(毕竟EM仿真包含了所有寄生),这样只有有源器件本身也不用做PEX了。
发表于 3 天前 | 显示全部楼层


胖飞虫 发表于 2024-11-14 19:32
感谢你的回答,但是你回答里面第一篇的(有源电路附近的走线)和第二篇的(+周围走线)感觉二者其实没区 ...


我理解的第一篇的做法就是这样的,有源区附近的走线全部用em抽取,如果有源管是rf模型,那有源管自身的走线寄生都已经考虑进去了,不需要pex
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