什么样的高压NMOS栅极可以低电平

peterlin2010

1. M0 depletion HV MOS (maybe JFET ??  )   M1 可能 depletion 5v nmos 类当 current source  ,

depletion nmos vt 是负的 ,

m2~m3~m4 串接类似 zener didoe 功能 产生电压  vout ~5v

2. M6 m7 是5v  mos  没分 drain/source 端.

一个可能 reverse 弄错方向 ,

另个 是 vout 跟 ldo5v 会 m6 m7 切换 电位

ericking0

M0/M1感觉是耗尽管，M1和下面电阻构成一个电流源，对下面3*vgs偏置，然后M0等于一个source follower；
M6/M7背靠背的NMOS，感觉像是一个电源选择，LDO5V没电是，左边的那个source follower顶上，LDO5V有电的时候Vctr拉高，M6/M7导通；但是R2/R3的分压有点不太想的通；
PS：建议这种要猜功能的电路，最好附上器件的尺寸，好猜一点；

youngabin

very_nice 发表于 2024-10-29 01:11
1.栅压比源极低，一般的DMOS能通吗？
2.如果VOUT比LDO5V低，是不是M6会关闭？
...

导不通，所以最上面两根看着奇怪，而且就算是二极管接法也不是稳定电源，用耗尽型还有可能

very_nice

acrofoxAgain 发表于 2024-10-29 06:00
1. JFET和MOS管无论是符号还是版图照片都不一样，为什么会有这种怀疑？

2.  电流很小，开关换尺寸自然也 ...

1.我可能不太清楚JFET的版图是什么样的，JFET和DMOS的版图区别主要是什么呀？

2.M6、M7和内部电路电流的关系是？

very_nice

peterlin2010 发表于 2024-10-29 06:44
1. M0 depletion HV MOS (maybe JFET ??  )   M1 可能 depletion 5v nmos 类当 current source  ,
deplet ...

1.大概率是你说的这样，仿了一下，VOUT为5V多一点，只是M1是current source的原理是啥，烦请讲一下？

2.M6 M7是5V MOS，这种drain/source不是不区分吗？ vout 跟 ldo5v 切换 电位是啥意思呀？
注：VOUT常开，LDO5V在低功耗模式下没电。

very_nice

ericking0 发表于 2024-10-29 08:44
M0/M1感觉是耗尽管，M1和下面电阻构成一个电流源，对下面3*vgs偏置，然后M0等于一个source follower；
M6/M ...

是的，M0/M1很有可能是耗尽管。
我还想问下M1成为电流源的原理是什么呀，source follower M0的主要作用是什么呢？

peterlin2010

very_nice 发表于 2024-10-30 01:35
是的，M0/M1很有可能是耗尽管。
我还想问下M1成为电流源的原理是什么呀，source follower M0的主要作用是 ...

M1成为电流源
=> depletion nmos ,  vgs=0 => current source

acrofoxAgain

very_nice 发表于 2024-10-30 01:04
1.我可能不太清楚JFET的版图是什么样的，JFET和DMOS的版图区别主要是什么呀？

2.M6、M7和内部电路电流的 ...

JFET没有绝缘栅，栅和厚道之间是二极管，栅极金属会跟单晶硅之间有接触。

acrofoxAgain

very_nice 发表于 2024-10-30 01:28
1.大概率是你说的这样，仿了一下，VOUT为5V多一点，只是M1是current source的原理是啥，烦请讲一下？

2. ...

工作于饱和区的MOS管，VGS恒定时ID就基本恒定，相当于一个电流源。增强型NMOS，满足这个条件必须有VGS>0，耗尽型NMOS的阈值<0，所以在VGS恒定为0时也能工作于饱和区。

very_nice

acrofoxAgain 发表于 2024-10-30 08:49
工作于饱和区的MOS管，VGS恒定时ID就基本恒定，相当于一个电流源。增强型NMOS，满足这个条件必须有VGS>0 ...

明白了，M1的电流是由下式决定，与电源和负载无关，谢谢！

这样的话，那VOUT岂不是会随负载电流变化么？