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[求助] 请教一下这个二极管连接的mos管,它的栅漏电压为什么是跟随源极电压变化的

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发表于 2024-9-27 09:25:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

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P1管是连接成二极管形式的,我是直接就把它看作二极管,不太理解这个初始状态:当vdd从0上电,为什么p1的栅漏也是跟随从0变化的呢?后面跟随是理解的,因为P2管导通了
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发表于 2024-9-27 09:39:19 | 显示全部楼层
啥意思,没电流,那不栅漏和vdd一样吗
发表于 2024-9-27 11:14:58 | 显示全部楼层
初始状态大概是Cds耦合,让N3的gate充电,后面就是pmos导通。
 楼主| 发表于 2024-9-27 16:20:37 | 显示全部楼层


freehero 发表于 2024-9-27 11:14
初始状态大概是Cds耦合,让N3的gate充电,后面就是pmos导通。


哥,你的意思是初始阶段把P1看作一个耦合的电容去给N3的g进行充电吗
发表于 2024-9-27 17:05:43 | 显示全部楼层
没有直流通路,在直流情况下不就等于vdd吗
发表于 2024-9-27 19:30:50 | 显示全部楼层


大桐桐 发表于 2024-9-27 16:20
哥,你的意思是初始阶段把P1看作一个耦合的电容去给N3的g进行充电吗


是的,你可以把Model复制到自己的路径下,然后把器件模型里的Cgs, Cgd, Cds改成零试试看,验证一下是不是这个原因。
 楼主| 发表于 2024-9-27 20:17:11 | 显示全部楼层


freehero 发表于 2024-9-27 19:30
是的,你可以把Model复制到自己的路径下,然后把器件模型里的Cgs, Cgd, Cds改成零试试看,验证一下是不是 ...


好的,谢谢大哥给了思路
发表于 2024-9-27 22:08:47 | 显示全部楼层
MOS管并不是Vgs到达阈值后突然导通的,在低于阈值电压就有亚阈值导通电流。而h点到地没有通路,或者说只有栅电容。所以如果是无线慢速的上电,栅电流为0,h完全跟随vdd。如图中有限上电速度的情况下,h点上升的过程中需要为寄生电容充电,所以无法完全跟随vdd,但一定是往上走的。毕竟vdd但h之间存在亚阈值导电通路,而到地之间只有电容。
 楼主| 发表于 2024-9-29 09:02:51 | 显示全部楼层


acrofoxAgain 发表于 2024-9-27 22:08
MOS管并不是Vgs到达阈值后突然导通的,在低于阈值电压就有亚阈值导通电流。而h点到地没有通路,或者说只有 ...


谢谢大哥详细的解释
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