请教一下这个二极管连接的mos管，它的栅漏电压为什么是跟随源极电压变化的

大桐桐 · 发表于 2024-9-27 09:25:18

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P1管是连接成二极管形式的，我是直接就把它看作二极管，不太理解这个初始状态：当vdd从0上电，为什么p1的栅漏也是跟随从0变化的呢？后面跟随是理解的，因为P2管导通了

ZXY2002 · 发表于 2024-9-27 09:39:19

啥意思，没电流，那不栅漏和vdd一样吗

freehero · 发表于 2024-9-27 11:14:58

初始状态大概是Cds耦合，让N3的gate充电，后面就是pmos导通。

大桐桐 · 发表于 2024-9-27 16:20:37

freehero 发表于 2024-9-27 11:14
初始状态大概是Cds耦合，让N3的gate充电，后面就是pmos导通。

哥，你的意思是初始阶段把P1看作一个耦合的电容去给N3的g进行充电吗

xiaoAfeng · 发表于 2024-9-27 17:05:43

没有直流通路，在直流情况下不就等于vdd吗

freehero · 发表于 2024-9-27 19:30:50

大桐桐发表于 2024-9-27 16:20
哥，你的意思是初始阶段把P1看作一个耦合的电容去给N3的g进行充电吗

是的，你可以把Model复制到自己的路径下，然后把器件模型里的Cgs, Cgd, Cds改成零试试看，验证一下是不是这个原因。

大桐桐 · 发表于 2024-9-27 20:17:11

freehero 发表于 2024-9-27 19:30
是的，你可以把Model复制到自己的路径下，然后把器件模型里的Cgs, Cgd, Cds改成零试试看，验证一下是不是 ...

好的，谢谢大哥给了思路

acrofoxAgain · 发表于 2024-9-27 22:08:47

MOS管并不是Vgs到达阈值后突然导通的，在低于阈值电压就有亚阈值导通电流。而h点到地没有通路，或者说只有栅电容。所以如果是无线慢速的上电，栅电流为0，h完全跟随vdd。如图中有限上电速度的情况下，h点上升的过程中需要为寄生电容充电，所以无法完全跟随vdd，但一定是往上走的。毕竟vdd但h之间存在亚阈值导电通路，而到地之间只有电容。

大桐桐 · 发表于 2024-9-29 09:02:51

acrofoxAgain 发表于 2024-9-27 22:08
MOS管并不是Vgs到达阈值后突然导通的，在低于阈值电压就有亚阈值导通电流。而h点到地没有通路，或者说只有 ...

谢谢大哥详细的解释

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