thermal pad的连接

zikelee · 发表于前天 14:27

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请教一下硅基BCD工艺的一个问题，当芯片被导电胶贴在封装的框架上，框架是连接到外部thermal pad的。是否可以认为P-substrate是可靠的电连接到外部的thermal pad吗？整个substrate都因为p掺杂成为一个导电的通路，还是只有浅层形成p掺杂电阻很小，而深层由于掺杂无法达到，基本纯硅状态，所以电阻很大，所以P-substrate到外部thermalpad是一个高阻状态？

爱上鱼汤 · 发表于前天 15:46

坐等大哥解释。

说下我的理解，前面一句是指封装外形是 exposed pad封装形式吧。
后面是指芯片晶圆加工工艺问题吧，P-substrate是指P沉底吧，但我的理解，一般Si Wafer 总厚度775um，有效的电路只是Top层10几um吧，所以就算减薄到200um，100um，大部份还是Bare Si，应该还是高阻态吧。

zikelee · 发表于昨天 12:09

爱上鱼汤发表于 2024-9-18 15:46
坐等大哥解释。

说下我的理解，前面一句是指封装外形是 exposed pad封装形式吧。

谢谢站友的回复。

这两天仔细学习了一下。个人理解如下，希望大师们多指点。
就一般CMOS工艺，一般使用P-substrate的wafer，这个应该是在wafer生产过程中就进行了掺杂，猜测是用气体？所以一般CMOS的P-substrate不是fab在纯硅上再注入产生的。而是fab在P-type的wafer上直接生产。一般CMOS的P-Substrate电阻率是1~30Ω.cm。所以个人理解裸片通过带银浆的胶固定在frame上，进而连接到thermal pad是有电气连接的，但考虑各种情况下P-substrate的电阻，应该等效于通过一个电阻联到衬底，所以如果考虑低阻有效连接，还是要使用bongding wire单独达到框架上。