thermal pad的连接

cd1992

Peter_Gym 发表于 2024-9-23 21:28
8-12应该是带EPI 的吧

这里回答的稍微不太严谨，8~12确实是epi的，正常2~3um。

再补充下，即使是抛光片，晶圆电阻率也是有标准规定的0.5~20ohm.cm，再大撑死也就30ohm.cm，这个定义为高阻态还是不妥的我认为

爱上鱼汤

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学习了。谢谢。

我一开始的理解是thermal pad 接触的是 有效电路层外的Silicon，所以觉得这个阻值比较高。
但现在看大家的意见，其实用于IC的晶圆衬底其实电阻也基本在十几到几十欧姆，那用“高阻态”是不妥。
这么看一般晶圆衬底电阻率也不高啊，难怪之前有遇到下层芯片的金线碰到上层芯片的Si底导致电流异常的。

另外，我检索晶圆电阻率，看网上也有那种Dummy 抛光片，其电阻有的是比较大的，比如下图，不同工艺阻值也有差异。

关于直拉法（ CZ 法）、区熔法（ FZ 法）和外延法，其中直拉法和区熔法用于制备单晶硅棒材。区熔硅单晶的最大需求来自于功率半导体器件。

yesmyboy1

Peter_Gym 发表于 2024-9-23 21:27
Raw Wafer 的RS,可以让Fab 端提供,一般P sub 应该在20左右

謝謝告知