pnp做电源clamp时打esd容易烧毁其它IO口的esd保护二极管

zoe_song · 发表于 2024-8-17 15:06:24

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我的整体电路IO环路如图所示，电压域是+5V与-5V，电源clamp用了高压40V的PNP管，在打VEE到GND的esd的时候，250V的情况下就会烧毁IOB1与IOB2这个端口到VEE的二极管有大佬能帮我解释一下为什么嘛我完全是ESD小白，这个没做过仿真或者请教大佬们这个如何从仿真中看行不行，我在cadence搭建了HBM模型做了仿真但是不太能看懂那个结果

沐风彡 · 发表于 2024-8-19 17:06:37

VEE和GND只有5V的压差，为什么要用40V的BJT做power clamp？

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